Single-electron transistor in strained Si/SiGe heterostructures
Thomas Berer, Dietmar Pachinger, Georg Pillwein, Michael Mühlberger, Herbert Lichtenberger, Gerhard Brunthaler, F. SchäfflerТом:
34
Рік:
2006
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.physe.2006.03.016
Файл:
PDF, 186 KB
english, 2006