Barrier height homogeneity for 4.5 kV 4H-SiC Schottky diodes
J.M. Bluet, D. Ziane, G. Guillot, D. Tournier, P. Brosselard, J. Montserrat, P. GodignonТом:
40
Рік:
2006
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1016/j.spmi.2006.06.012
Файл:
PDF, 478 KB
english, 2006