Carrier backscattering characteristics of strained silicon-on-insulator n-MOSFETs featuring silicon–carbon source/drain regions
Kah-Wee Ang, Hock-Chun Chin, King-Jien Chui, Ming-Fu Li, Ganesh S. Samudra, Yee-Chia YeoТом:
51
Рік:
2007
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1016/j.sse.2007.09.013
Файл:
PDF, 279 KB
english, 2007
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
