Comprehensive study of S/D engineering for 32 nm node CMOS in direct silicon bonded (DSB) technology
N. Yasutake, A. Nomachi, H. Itokawa, T. Morooka, L. Zhang, T. Fukushima, H. Harakawa, I. Mizushima, A. Azuma, Y. ToyosihmaТом:
53
Рік:
2009
Мова:
english
Сторінки:
7
DOI:
10.1016/j.sse.2009.03.016
Файл:
PDF, 1.58 MB
english, 2009