Implantation angle periphery effects on non-alloyed Si-implanted ohmic contacts for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Martin Kocan, Felix Recht, Gilberto A. Umana-Membreno, Matt R. Kilburn, Brett D. Nener, Umesh K. Mishra, Giacinta ParishТом:
56
Рік:
2011
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.sse.2010.10.013
Файл:
PDF, 315 KB
english, 2011
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
