Alkoxysilane layers deposited by SC CO2 process on silicon oxide for microelectronics applications
D. Rébiscoul, V. Perrut, O. Renault, F. Rieutord, S. Olivier, P.-H. HaumesserТом:
51
Рік:
2009
Мова:
english
Сторінки:
8
DOI:
10.1016/j.supflu.2009.08.008
Файл:
PDF, 1.38 MB
english, 2009