A new way to selectively remove Si islands from polycrystalline silicon seed layers made by aluminum-induced crystallization
Dries Van Gestel, Ivan Gordon, Agnes Verbist, Lodewijk Carnel, Guy Beaucarne, Jef PoortmansТом:
516
Рік:
2008
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/j.tsf.2007.12.122
Файл:
PDF, 916 KB
english, 2008