Mobility in 6H-SiC n-Channel MOSFETs
Scozzie, Charles J., Lelis, Aivars J., McLean, F. BarryТом:
338-342
Рік:
2000
Мова:
english
Журнал:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1121
Файл:
PDF, 390 KB
english, 2000