Characteristics of the hydrogen ion-sensitive field effect transistors with sol–gel-derived lead titanate gate
Shiun-Sheng Jan, Jung-Lung Chiang, Ying-Chung Chen, Jung-Chuan Chou, Chien-Chuan ChengТом:
469
Рік:
2002
Мова:
english
Сторінки:
12
DOI:
10.1016/s0003-2670(02)00722-5
Файл:
PDF, 282 KB
english, 2002