Radiation hardness evaluation of a 130 nm SiGe BiCMOS technology for high energy physics applications
Díez, S, Clark, T, Grillo, A A, Kononenko, W, Martinez-McKinney, F, Newcomer, F M, Norgren, M, Rescia, S, Spencer, E, Spieler, H, Ullán, M, Wilder, MТом:
8
Мова:
english
Журнал:
Journal of Instrumentation
DOI:
10.1088/1748-0221/8/10/P10009
Date:
October, 2013
Файл:
PDF, 737 KB
english, 2013
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
