1300 nm GaAs-based microcavity LED incorporating InAs/GaInAs quantum dots
N.A Maleev, A.V Sakharov, C Moeller, I.L Krestnikov, A.R Kovsh, S.S Mikhrin, A.E Zhukov, V.M Ustinov, W Passenberg, E Pawlowski, H Kuenzel, A.F Tsatsul’nikov, N.N Ledentsov, D Bimberg, Zh.I AlferovТом:
227-228
Рік:
2001
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/s0022-0248(01)01004-1
Файл:
PDF, 204 KB
english, 2001