MOVPE growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer
Katagiri, Masayoshi, Fang, Hao, Miyake, Hideto, Hiramatsu, Kazumasa, Oku, Hidehiko, Asamura, Hidetoshi, Kawamura, KeisukeТом:
53
Мова:
english
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/jjap.53.05fl09
Date:
May, 2014
Файл:
PDF, 1.27 MB
english, 2014
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
