A study of the interface states in MIS-structures with thin SiO2 and SiOxNy layers using deep level transient spectroscopy
R. Beyer, H. Burghardt, E. Thomas, R. Reich, D.R.T. Zahn, T. GeßnerТом:
39
Рік:
1999
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1016/s0026-2714(98)00235-2
Файл:
PDF, 224 KB
english, 1999