Turn-off operation of a MOS-gate 2.6 kV 4H–SiC gate turn-off thyristor
Pavel A Ivanov, Michael E Levinshtein, Sergey L Rumyantsev, Anant K Agarwal, John W PalmourТом:
44
Рік:
2000
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/s0038-1101(00)00182-9
Файл:
PDF, 141 KB
english, 2000