Optimisation of growth temperature and post-growth annealing for GaInNAs/GaNAs/GaAs quantum-well structures emitting at 1.3 μm
Y. Fedorenko, T. Jouhti, E.-M. Pavelescu, S. Karirinne, J. Kontinnen, M. PessaТом:
440
Рік:
2003
Мова:
english
Сторінки:
3
DOI:
10.1016/s0040-6090(03)00856-3
Файл:
PDF, 92 KB
english, 2003