Digital devices based on tunnel-resonant transport of charge carriers in periodic Si/CaF2 nanostructures
J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, V.E. BorisenkoТом:
101
Рік:
2003
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/s0921-5107(02)00642-6
Файл:
PDF, 240 KB
english, 2003