The influence of high-energy electron irradiation and boron implantation on the oxide thickness in the /Si system
Kurmaev, E Z, Shamin, S N, Galakhov, V R, Makhnev, A A, Kirillova, M M, Kurennykh, T E, Vykhodets, V B, Kaschieva, SТом:
9
Мова:
english
Журнал:
Journal of Physics: Condensed Matter
DOI:
10.1088/0953-8984/9/32/018
Date:
August, 1997
Файл:
PDF, 217 KB
english, 1997
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
