Hot carrier degradation modeling of short-channel n-FinFETs suitable for circuit simulators
Messaris, I., Karatsori, T.A., Fasarakis, N., Theodorou, C.G., Nikolaidis, S., Ghibaudo, G., Dimitriadis, C.A.Том:
56
Мова:
english
Журнал:
Microelectronics Reliability
DOI:
10.1016/j.microrel.2015.11.002
Date:
January, 2016
Файл:
PDF, 1.35 MB
english, 2016
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
