Polarity control of ZnO films grown with high temperature N-polar GaN intermediate layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy
O. H. Roh, Y. Tomita, M. Ohsugi, X. Wang, Y. Ishitani, A. YoshikawaТом:
241
Рік:
2004
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1002/pssb.200405100
Файл:
PDF, 149 KB
english, 2004