Electrical characteristics of the vertical GaN rectifiers fabricated on bulk GaN wafer
Yaqi Wang, Hui Xu, Siddharth Alur, Yogesh Sharma, Fei Tong, Patrick Gartland, Tamara Issacs-Smith, Claude Ahyi, John Williams, Minseo Park, Ginger Wheeler, Mark Johnson, Andrew A. Allerman, Andrew HanТом:
8
Рік:
2011
Мова:
english
Сторінки:
3
DOI:
10.1002/pssc.201001158
Файл:
PDF, 260 KB
english, 2011
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
