Impact of the TiN barrier layer on the positive bias temperature instabilities of high- k /metal-gate field effect transistors
Huang, Da-Cheng, Gong, Jeng, Huang, Chih-Fang, Chung, Steve S.Том:
54
Мова:
english
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAP.54.04DA01
Date:
April, 2015
Файл:
PDF, 981 KB
english, 2015
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
