Gate-recessed E-mode p-channel HFET with high on-current...

Main
2018
Gate-recessed E-mode p-channel HFET with high on-current...

IEEE Electron Device Letters 2018

Gate-recessed E-mode p-channel HFET with high on-current based on GaN/AlN 2D hole gas

Bader, Samuel James, Chaudhuri, Reet, Nomoto, Kazuki, Hickman, Austin, Chen, Zhen, Then, Han Wui, Muller, David A., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Рік:

2018

Мова:

english

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

DOI:

10.1109/LED.2018.2874190

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2018

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась