Properties of Silicon Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy
V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, G. N. Gorshenin, D. V. Shengurov, S. A. DenisovТом:
41
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1007/s10789-005-0273-z
Date:
November, 2005
Файл:
PDF, 66 KB
english, 2005