Memory Effect of Metal-Insulator-Silicon Capacitor with HfO2-Al2O3Multilayer and Hafnium Nitride Gate
Shi-Jin Ding, Min Zhang, Wei Chen, David Wei Zhang, Li-Kang WangТом:
36
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1007/s11664-006-0003-6
Date:
March, 2007
Файл:
PDF, 416 KB
english, 2007
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
