Temperature-induced increase in erbium electroluminescence of epitaxially grown Si:Er diodes
V.B. Shmagin, A.V. Lyutov, D.Yu. Remizov, K.E. Kudryavtsev, M.V. Stepikhova, Z.F. KrasilnikТом:
146
Рік:
2008
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.mseb.2007.07.076
Файл:
PDF, 429 KB
english, 2008