A charge-based compact model for predicting the current–voltage and capacitance–voltage characteristics of heavily doped cylindrical surrounding-gate MOSFETs
Feilong Liu, Jian Zhang, Frank He, Feng Liu, Lining Zhang, Mansun ChanТом:
53
Рік:
2009
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/j.sse.2008.09.016
Файл:
PDF, 285 KB
english, 2009
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
