Numerical simulation of the UV-excimer laser assisted modification of amorphous hydrogenated Si/Ge bilayers to graded epitaxial heterostructures
J.C. Conde, L. Fornarini, S. Chiussi, F. Gontad, P. González, B. Leon, S. MartelliТом:
517
Рік:
2008
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/j.tsf.2008.08.076
Файл:
PDF, 412 KB
english, 2008