Pre-breakdown noise in electrically stressed thin SiO2 layers of MOS devices observed with C-AFM
M. Porti, S. Meli, M. Nafrı́a, X. AymerichТом:
43
Рік:
2003
Мова:
english
Сторінки:
7
DOI:
10.1016/s0026-2714(03)00173-2
Файл:
PDF, 160 KB
english, 2003