Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 34; Issue 8

Applied Physics Letters

Volume 34; Issue 8
1

Vacuum-evaporated conducting ZnS films

Olsen, L. C., Bohara, R. C., Barton, D. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 339 KB
english, 1979
2

Tunable optical detection and generation of terahertz phonons in CaF2 and SrF2

Eisfeld, W., Renk, K. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 557 KB
english, 1979
3

Ge : Ga photoconductors in low infrared backgrounds

Haller, E. E., Hueschen, M. R., Richards, P. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 516 KB
english, 1979
4

Response of a Bi12SiO20 Pockels readout optical modulator to x rays

Berzins, G. J., Graser, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 444 KB
english, 1979
5

Electroluminescence efficiency profiles of Mn in ZnS ac thin-film electroluminescence devices

Marrello, V., Onton, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 459 KB
english, 1979
7

Plasma anodization of oxygen-sputtered GaAs surfaces

Shinoda, Yukinobu, Yamaguchi, Masao
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
english, 1979
8

Interstitial supersaturation near phosphorus-diffused emitter zones in silicon

Strunk, H., Gösele, U., Kolbesen, B. O.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 445 KB
english, 1979
9

The Schottky-barrier height of Au on n-Ga1−xAlxAs as a function of AlAs content

Best, J. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 467 KB
english, 1979
10

Deep-level luminescence in AlxGa1−xAs double-heterostructure lasers

van der Ziel, J. P., Hartman, R. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 452 KB
english, 1979
11

Fluorescence decay measurement via modulated gain spectroscopy

Barnes, W. T., Lytle, F. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 476 KB
english, 1979
12

Elinvar-type behavior in the alloy Fe78Mo2B20

Tyagi, S., Lord, A. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 416 KB
english, 1979
13

Preparation of Sn-doped In2O3 (ITO) films at low deposition temperatures by ion-beam sputtering

Fan, John C. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 437 KB
english, 1979
15

X-ray preionization for electric discharge lasers

Lin, Shao-Chi, Levatter, Jeffrey I.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 468 KB
english, 1979
16

Excited-state kinetics for Nd(thd)3 and Tb(thd)3 chelate vapors and prospects as fusion laser media

Jacobs, Ralph R., Krupke, William F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 521 KB
english, 1979
17

Long-term Hall-type conversion by vacancy diffusion in Hg1−xCdxTe at room temperature

Nimtz, G., Schlicht, B., Dornhaus, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 345 KB
english, 1979
18

Laser annealing of indium-implanted Pb0.8Sn0.2Te films

Bahir, G., Bernstein, T., Kalish, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 431 KB
english, 1979
19

Ellipsometric study of silicon implanted with boron ions in low doses

Watanabe, K., Miyao, M., Takemoto, I., Hashimoto, N.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 412 KB
english, 1979