Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 40; Issue 10

Applied Physics Letters

Volume 40; Issue 10
1

The B→X transition in 200Hg 79Br

Tellinghuisen, Joel
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 524 KB
english, 1982
2

Optically pumped ring laser oscillation in the 6Li2 molecule

Rajaei-Rizi, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 488 KB
english, 1982
3

Output power and temperature dependence of the linewidth of single- frequency cw (GaAl)As diode lasers

Welford, D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 461 KB
english, 1982
5

Infrared absorption of the 78-meV acceptor in GaAs

Elliott, K. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 600 KB
english, 1982
6

Pyroelectric detection of magnetic resonance

Melcher, R. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 424 KB
english, 1982
7

Influence of AlxGa1−xAs buffer layers on the performance of modulation-doped field-effect transistors

Drummond, T. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 479 KB
english, 1982
8

Erratum: Deuterium in He-implanted Fe: Trapping and the surface permeation barrier [Appl. Phys. Lett. 39, 450 (1981)]

Myers, S. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 279 KB
english, 1982
9

Continuous electrowetting effect

Beni, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 479 KB
english, 1982
10

Two-dimensional electron gas in a In0.53Ga0.47As-InP heterojunction grown by metalorganic chemical vapor deposition

Guldner, Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 423 KB
english, 1982
11

Erratum: High-output power InGaAsP (λ = 1.3 μm) strip-buried heterostructure lasers [Appl. Phys. Lett. 36, 358 (1980)]

Nelson, R. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
english, 1982
12

1/f frequency fluctuations of a quartz oscillator

Noguchi, Yasuaki
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 307 KB
english, 1982
13

Erratum: Induced junction monolithic zinc oxide-on-silicon storage correlator [Appl. Phys. Lett. 40, 71 (1982)]

Weng, K. C.-K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 1982
14

Raman measurements of stress in silicon-on-sapphire device structures

Brueck, S. R. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 512 KB
english, 1982
15

A novel p+nn+ GaAs/Al0.30Ga0.70As/GaAs double heterojunction diode for high-temperature electronic applications

Zipperian, T. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 532 KB
english, 1982
16

Experimental study of a superconducting vortex-memory device

Parisi, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 436 KB
english, 1982
17

Deuterium passivation of grain-boundary dangling bonds in silicon thin films

Johnson, N. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 425 KB
english, 1982
18

Detailed characteristics of an intense proton beam from an ‘‘applied-Bϑ’’ magnetically insulated ion diode

Zieher, K. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 411 KB
english, 1982
19

Tunable electro-optic waveguide TE〈–〉TM converter/wavelength filter

Alferness, R. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
english, 1982
20

Amplifying continuous wave phase conjugate mirror with strontium barium niobate

Fischer, Baruch
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 445 KB
english, 1982
21

Epitaxy of CuI on Cu(111)

DiCenzo, S. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 461 KB
english, 1982