Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 42; Issue 11

Applied Physics Letters

Volume 42; Issue 11
1

Electrical characteristics of amorphous iron‐tungsten contacts on silicon

Finetti, M., Pan, E. T‐S., Suni, I., Nicolet, M‐A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 472 KB
english, 1983
3

Thermal and pulsed laser evaporation of single phase AsxP1−x alloys

Schwartz, G. P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 479 KB
english, 1983
4

Time and space resolved vacuum-ultraviolet spectroscopy of an argon gas-puff Z pinch

Marrs, R. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 479 KB
english, 1983
5

Infrared optical constants of PtSi

Pimbley, J. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 430 KB
english, 1983
6

Surface and interface nitridation of thin polycrystalline silicon films

Habraken, F. H. P. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 490 KB
english, 1983
7

Surface acoustic wave quasi-zero-temperature cuts in Ba2NaNb5O15

Hénaff, Jeannine
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 1983
8

Measurement of deep levels in hydrogenated amorphous silicon by transient voltage spectroscopy

Johnson, N. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 495 KB
english, 1983
9

cw room-temperature operation of GaAlAs single quantum well visible (7300 Å) diode lasers at 100 mW

Burnham, R. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 449 KB
english, 1983
11

High-performance K-band GaAs power field-effect transistors prepared by molecular beam epitaxy

Saunier, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 483 KB
english, 1983
12

Picosecond CdSe photodetector

Margulis, W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
english, 1983
13

High resistivity in p-type InP by deuteron bombardment

Focht, M. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 479 KB
english, 1983
14

Pd/a-Si:H metal-insulator-semiconductor Schottky barrier diode for hydrogen detection

D’Amico, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 334 KB
english, 1983
15

Strongly bound chemisorption state for benzene on silicon (111)

Piancastelli, M. N.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 347 KB
english, 1983
16

Integrated arrays of 1.3-μm buried-crescent lasers

Temkin, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 415 KB
english, 1983
17

Fabrication of GaAs-Mo-Si structures by metalorganic chemical vapor deposition and laser annealing

Okamoto, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 394 KB
english, 1983
18

Passive phase conjugate mirror based on self-induced oscillation in an optical ring cavity

Cronin-Golomb, Mark
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
english, 1983
19

Photoacoustic determination of thin-film thermal properties

Swimm, Randall T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 386 KB
english, 1983
20

Optical transmission at 3.39 μm during pulsed laser annealing of silicon

Lyon, S. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 461 KB
english, 1983
21

Optically enhanced amorphous silicon solar cells

Deckman, H. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 496 KB
english, 1983
22

Kinetics of self-interstitials generated at the Si/SiO2 interface

Taniguchi, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 497 KB
english, 1983