Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 47; Issue 4

Applied Physics Letters

Volume 47; Issue 4
2

Quantitative photoelastic measurement of residual strains in undoped semi-insulating gallium arsenide

Yamada, Masayoshi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 589 KB
english, 1985
3

High current ion source

Brown, Ian G., Galvin, James E., MacGill, Robert A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 451 KB
english, 1985
4

Resonant tunneling of holes in AlAs-GaAs-AlAs heterostructures

Mendez, E. E., Wang, W. I., Ricco, B., Esaki, L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 502 KB
english, 1985
5

Nondestructive depth profiling by spectroscopic ellipsometry

Vedam, K., McMarr, P. J., Narayan, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 498 KB
english, 1985
8

Formation of low defect density SiOx films for Josephson integrated circuits

Shibayama, H., Hasuo, S., Yamaoka, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 395 KB
english, 1985
9

In situ investigation of transport in semiconductors: A contactless approach

Skumanich, Andrew, Fournier, Daniele, Boccara, A. Claude, Amer, Nabil M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 501 KB
english, 1985
10

Laser-induced photochemical etching of SiO2 studied by x-ray photoelectron spectroscopy

Yokoyama, S., Yamakage, Y., Hirose, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 541 KB
english, 1985
12

High resolution ultraviolet photoablation of SiOx films

Fiori, C., Devine, R. A. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 457 KB
english, 1985
13

Drawing-induced 1.53-μm wavelength optical loss in single-mode fibers drawn at high speeds

Sakaguchi, S., Itoh, H., Hanawa, F., Kimura, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 515 KB
english, 1985
14

Rapid thermal annealing of interface states in aluminum gate metal-oxide-silicon capacitors

Reed, Michael L., Fishbein, Bruce, Plummer, James D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 519 KB
english, 1985
15

Effect of Fe on the carrier instability in HgSe

Vaziri, M., Debska, U., Reifenberger, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 555 KB
english, 1985
16

Highly doped GaAs:Si by molecular beam epitaxy

Sacks, Robert, Shen, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 527 KB
english, 1985
17

Infrared to visible image conversion capability of a nematic liquid crystal film

Khoo, I. C., Normandin, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 497 KB
english, 1985
18

Doping superlattices in organometallic vapor phase epitaxial InP

Yuan, J. S., Gal, M., Taylor, P. C., Stringfellow, G. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 540 KB
english, 1985
20

Free-exciton luminescence in GaSb quantum wells confined by short-period AlSb-GaSb superlattices

Ploog, K., Ohmori, Y., Okamoto, H., Stolz, W., Wagner, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 562 KB
english, 1985
21

GaAs bipolar transistors grown on (100) Si substrates by molecular beam epitaxy

Fischer, R., Chand, N., Kopp, W., Morkoç, H., Erickson, L. P., Youngman, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 449 KB
english, 1985
22

Viscosity and steady shocks

Moss, William C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 364 KB
english, 1985
23

Particulates: An origin of GaAs oval defects grown by molecular beam epitaxy

Weng, Shang-Lin, Webb, C., Chai, Y. G., Bandy, S. G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 477 KB
english, 1985
24

Properties of carbon films by dc plasma deposition

Fujii, Kazutaka, Shohata, Nobuaki, Mikami, Masao, Yonezawa, Masatomo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 451 KB
english, 1985
26

0° phase mode operation in phased-array laser diode with symmetrically branching waveguide

Taneya, M., Matsumoto, M., Matsui, S., Yano, S., Hijikata, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 415 KB
english, 1985
27

Low loss optical waveguides fabricated by thermal nitridation of oxidized silicon

Zelmon, David E., Boyd, Joseph T., Jackson, Howard E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 470 KB
english, 1985
28

Calculation of the effects of a focused laser beam on the dynamic Josephson tunneling states

Chang, Jhy-Jiun
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 429 KB
english, 1985
29

Hole trapping and interface state generation during bias-temperature stress of SiO2 layers

Haywood, S. K., De Keersmaecker, R. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 458 KB
english, 1985
32

4×4 Ti:LiNbO3 integrated-optical crossbar switch array

McCaughan, L., Bogert, G. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
english, 1985
33

Compensation of p-type cast polycrystalline silicon by hydrogen ion implantation at 300 °C

Martinuzzi, S., Sebbar, M. A., Gervais, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 447 KB
english, 1985