Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 1

Applied Physics Letters

Volume 48; Issue 1
1

Dependence of photoetching rates of polymers at 193 nm on optical absorption depth

Cole, H. S., Liu, Y. S., Philipp, H. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 414 KB
english, 1986
3

21% (one sun, air mass zero) 4 cm2 GaAs space solar cells

Werthen, J. G., Virshup, G. F., Ford, C. W., Lewis, C. R., Hamaker, H. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 385 KB
english, 1986
4

Morphological studies of oval defects in GaAs epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Matteson, S., Shih, H. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 440 KB
english, 1986
5

Light-induced metastable defects in amorphous silicon: The role of hydrogen

Stutzmann, M., Jackson, W. B., Smith, A. J., Thompson, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 439 KB
english, 1986
6

Wafer bonding for silicon-on-insulator technologies

Lasky, J. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
english, 1986
7

Oxidation resistant sol-gel derived silicon oxynitride thin films

Brow, Richard K., Pantano, Carlo G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 451 KB
english, 1986
9

X-ray refractive index: A tool to determine the average composition in multilayer structures

Miceli, P. F., Neumann, D. A., Zabel, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 523 KB
english, 1986
12

Hydrogen radical assisted chemical vapor deposition of ZnSe

Oda, S., Kawase, R., Sato, T., Shimizu, I., Kokado, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 451 KB
english, 1986
13

New laterally selective growth technique by metalorganic chemical vapor deposition

Bedair, S. M., Tischler, M. A., Katsuyama, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 406 KB
english, 1986
15

Silver ion-exchanged, buried, glass optical waveguides with symmetric index profile

Lagu, R. K., Ramaswamy, R. V.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 364 KB
english, 1986
16

Eigenmode analysis of phase-locked semiconductor laser arrays

Twu, Yihjye, Chen, Kuo-Liang, Wang, Shyh, Whinnery, J. R., Dienes, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 426 KB
english, 1986
17

High-frequency amplification and generation in charge injection devices

Kastalsky, A., Abeles, J. H., Bhat, R., Chan, W. K., Koza, M. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 431 KB
english, 1986
18

Nondestructive depth profiling of carrier lifetimes in full silicon wafers

Guidotti, D., Batchelder, J. S., Van Vechten, J. A., Finkel, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 467 KB
english, 1986
20

Electro-optical response of a liquid-crystalline fiber coupler

Goldburt, E. S., Russell, P. St. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 485 KB
english, 1986
22

Diffusion of Ag and Hg at the Ag/(Hg, Cd)Te interface

Friedman, D. J., Carey, G. P., Shih, C. K., Lindau, I., Spicer, W. E., Wilson, J. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 524 KB
english, 1986