Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 12

Applied Physics Letters

Volume 48; Issue 12
1

Plastic optical fibers for near-infrared transmission

Kaino, Toshikuni
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 467 KB
english, 1986
3

Low-temperature silicon epitaxy by ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition

Meyerson, B. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1986
4

Far-infrared emission from two-dimensional plasmons in AlGaAs/GaAs heterointerfaces

N. Okisu, Y. Sambe, T. Kobayashi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 503 KB
english, 1986
5

Resistance fluctuations in ohmic contacts due to discreteness of dopants

Boudville, W. J., McGill, T. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 487 KB
english, 1986
6

Chloride vapor phase epitaxial growth of high-purity GaInP

Hoshino, Masataka, Kodama, Kunihiko, Kitahara, Kuninori, Ozeki, Masashi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 446 KB
english, 1986
7

Variably spaced superlattice energy filter, a new device design concept for high-energy electron injection

Summers, C. J., Brennan, K. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 503 KB
english, 1986
8

Graphoepitaxy of platinum on sawtooth profile gratings

Kushida, Keiko, Takeuchi, Hiroshi, Kobayashi, Toshio, Takagi, Kazumasa
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 443 KB
english, 1986
10

Microstructure of high-temperature annealed buried oxide silicon-on-insulator

Mao, B.-Y, Chang, P.-H., Lam, H. W., Shen, B. W., Keenan, J. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
english, 1986
11

Asymmetric noise and output power in semiconductor lasers with optical feedback near threshold

Mink, J., Verbeek, B. H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 393 KB
english, 1986
12

Detection of Ga vacancies in electron irradiated GaAs by positrons

Hautojärvi, P., Moser, P., Stucky, M., Corbel, C., Plazaola, F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 371 KB
english, 1986
16

Interaction of TiSi2 layers with polycrystalline Si

Zheng, L. R., Hung, L. S., Feng, S. Q., Revesz, P., Mayer, J. W., Miles, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 462 KB
english, 1986
17

Dry-etched-cavity pair-groove-substrate GaAs/AlGaAs multiquantum well lasers

Yuasa, Tonao, Mannoh, Masaya, Asakawa, Kiyoshi, Shinozaki, Keisuke, Ishii, Makoto
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 417 KB
english, 1986
18

Silicon surface roughness—Structural observation by reflection electron microscopy

Honda, Kouichirou, Ohsawa, Akira, Toyokura, Nobuo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 413 KB
english, 1986
19

Lateral solid phase epitaxy of amorphous Si films onto nonplanar SiO2 patterns on Si substrates

Ishiwara, Hiroshi, Tamba, Akihiro, Furukawa, Seijiro
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 366 KB
english, 1986
20

Double probe model of radio frequency capacitively coupled planar discharges

Pointu, A. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 390 KB
english, 1986
21

Transmission electron microscopy studies on lateral reaction of GaAs with Ni

Chen, S. H., Carter, C. B., Palmstro̸m, C. J., Ohashi, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 519 KB
english, 1986