Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 50; Issue 8

Applied Physics Letters

Volume 50; Issue 8
1

Investigation of nanocrystalline iron materials by Mössbauer spectroscopy

Herr, U., Jing, J., Birringer, R., Gonser, U., Gleiter, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 559 KB
english, 1987
2

Optical tristability using a twin-stripe laser diode

Watanabe, Masanobu, Itoh, Hideo, Mukai, Seiji, Yajima, Hiroyoshi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 551 KB
english, 1987
3

Glow-discharge-implanted, thermally annealed, oxide-passivated silicon solar cells of 19% efficiency

R. D. Westbrook, R. F. Wood, G. E. Jellison
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
english, 1987
5

Ultrasonic study of mechanically alloyed Co40Sn60

Hikata, A., McKenna, M. J., Elbaum, C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 500 KB
english, 1987
7

Surface reaction and recombination of the SiH3 radical on hydrogenated amorphous silicon

Perrin, Jéro^me, Broekhuizen, Ton
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 617 KB
english, 1987
9

Thermal stability and barrier height enhancement for refractory metal nitride contacts on GaAs

Zhang, L. C., Cheung, S. K., Liang, C. L., Cheung, N. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 501 KB
english, 1987
10

Carrier lifetime versus ion-implantation dose in silicon on sapphire

Doany, F. E., Grischkowsky, D., Chi, C.-C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 583 KB
english, 1987
11

Improved activation of Mg+ and As+ dual implants in GaAs by capless rapid thermal annealing

Masum Choudhury, A. N. M., Armiento, C. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
english, 1987
13

Fast burning of persistent spectral holes in small laser spots using photon-gated materials

Moerner, W. E., Carter, T. P., Bräuchle, C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 574 KB
english, 1987
14

Stimulated emission of photoexcited GaAs/AlxGa1−xAs single quantum wells

Borenstain, S., Fekete, D., Vofsi, M., Sarfaty, R., Cohen, E., Ron, Arza
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 463 KB
english, 1987
15

Modulation of Renninger scan intensity: A new x-ray technique to characterize epitaxial structures

Greenberg, B., Ladell, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 467 KB
english, 1987
16

Experimental realization of a resonant tunneling transistor

Woodward, T. K., McGill, T. C., Burnham, R. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 662 KB
english, 1987
17

Efficient technique for calculating the bound and virtual energy spectrum of semiconductor structures

Schwartz, Carey
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 634 KB
english, 1987