Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 56; Issue 26

Applied Physics Letters

Volume 56; Issue 26
1

Output saturation characteristics of erbium‐doped fiber amplifiers pumped at 975 nm

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 1990
2

Noncontact, highly sensitive, optical substrate temperature measurement technique

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 549 KB
english, 1990
3

Characterization of pulsed laser deposited boron nitride thin films on InP

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 492 KB
english, 1990
4

Spatial distribution of CH3 and CH2 radicals in a methane rf discharge

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 518 KB
english, 1990
5

Void formation in pulsed laser induced via/contact hole filling

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 683 KB
english, 1990
7

Single-crystalline aluminum layer buried in α-Al2O3

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 528 KB
english, 1990
8

High-frequency polarization self-modulation and chaotic phenomena in external cavity semiconductor lasers

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 562 KB
english, 1990
12

Superconducting YBa2Cu3O6.8 films on metallic substrates using in situ laser deposition

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 421 KB
english, 1990
13

Back-contacted emitter GaAs solar cells

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 474 KB
english, 1990
14

Thermoelectric effect spectroscopy of deep levels—application to semi-insulating GaAs

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 522 KB
english, 1990
16

Spectral characteristics of an injection-controlled XeF(C→A) excimer laser

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 531 KB
english, 1990
17

Evidence for a real-space transfer of hot holes in strained GeSi/Si heterostructures

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 507 KB
english, 1990
19

Does luminescence show semiconductor interfaces to be atomically smooth?

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 520 KB
english, 1990
21

Ion-induced annealing and amorphization of isolated damage clusters in Si

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 540 KB
english, 1990
22

Tracer impurity diffusion in amorphous NixZr1−x alloys

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 483 KB
english, 1990
23

Impurity-band transport near the metal–insulator transition in ZnSe epilayers grown by molecular beam epitaxy

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 433 KB
english, 1990
25

Enhanced diffusion of Si due to He ion implantation in Si-delta doped GaAs layers

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 523 KB
english, 1990
26

Large room-temperature magneto-optical Kerr effect in CuCr2Se4

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 505 KB
english, 1990
27

Interdiffusion measurements in asymmetrically strained SiGe/Si superlattices

Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 540 KB
english, 1990