Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 58; Issue 25

Applied Physics Letters

Volume 58; Issue 25
1

Kelvin probe force microscopy

Nonnenmacher, M., OBoyle, M. P., Wickramasinghe, H. K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 846 KB
english, 1991
2

Temperature dependence of semiconductor band gaps

O’Donnell, K. P., Chen, X.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1991
3

Electrochirally controlled bistable surface switching in nematic liquid crystals

Barberi, R., Durand, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 668 KB
english, 1991
4

Wavelength-dependent amplification characteristics of femtosecond erbium-doped optical fiber amplifiers

Kurokawa, Kenji, Nakazawa, Masataka
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 689 KB
english, 1991
5

Bistable behavior of a vibrating tip near a solid surface

Gleyzes, P., Kuo, P. K., Boccara, A. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 567 KB
english, 1991
7

Sidewall damage in a silicon substrate caused by trench etching

Hamamoto, Takeshi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 557 KB
english, 1991
8

Direct observation of optical anisotropy in a GaAs/AlAs quantum well wire array

Kanbe, H., Chavez-Pirson, A., Ando, H., Saito, H., Fukui, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 579 KB
english, 1991
9

Reactive ion etching of polycrystalline silicon using SiCl4

Tang, Y. S., Wilkinson, C. D. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 563 KB
english, 1991
10

Metallizations of AuGeNi/GaAs(001) and Au/GaAs(001) contacts at 4×10−3 Pa and 7×108 Pa pressure

Zhao, Y. C., Wu, Z. Q.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 564 KB
english, 1991
11

Minority electron lifetimes in heavily doped p-type GaAs grown by molecular beam epitaxy

Ito, Hiroshi, Furuta, Tomofumi, Ishibashi, Tadao
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 568 KB
english, 1991
13

Microwave properties of EuBa2Cu3O7−x thin films on MgO

Asano, Hidefumi, Satoh, Makoto, Konaka, Tsuneo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 686 KB
english, 1991
15

Low-power, all-optical nonlinear absorption in asymmetric double quantum wells

Dawson, P., Galbraith, I., Kucharska, A. I., Foxon, C. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 629 KB
english, 1991
16

Enhancement of field-induced optical absorption by potential modification of coupled quantum well structures

Chan, Y. C., Tada, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 531 KB
english, 1991
22

Impurity trapping and gettering in amorphous silicon

Coffa, S., Poate, J. M., Jacobson, D. C., Polman, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 565 KB
english, 1991
23

Etching polyimide films with continuous-wave ultraviolet lasers

Srinivasan, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 617 KB
english, 1991
25

Three-terminal operation of the double-heterostructure optoelectronic switching laser

Taylor, G. W., Claisse, P. R., Cooke, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 560 KB
english, 1991
26

Analysis of cut-off frequency roll-off at high currents in SiGe double-heterojunction bipolar transistors

Gao, Guang-bo, Fan, Zhi-fang, Morkoç, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 519 KB
english, 1991
27

Electro-optic AlGaAs spatial light deflector/modulator based on a grating phased array

Vasey, F., Reinhart, F. K., Houdré, R., Stauffer, J. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 542 KB
english, 1991
28

(311)A substrates suppression of Be transport during GaAs molecular beam epitaxy

Mochizuki, Kazuhiro, Goto, Shigeo, Kusano, Chuushiro
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
english, 1991
29

Luminescence intensity and lifetime dependences on temperature for Nd-doped GaP and GaAs

Taniguchi, Moriyuki, Nakagome, Hiroshi, Takahei, Kenichiro
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 575 KB
english, 1991
31

Double solid phase epitaxy of germanium-implanted silicon on sapphire

Peterström, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 648 KB
english, 1991
32

Optical anisotropy in mismatched InGaAs/InP heterostructures

Bennett, Brian R., del Alamo, Jesús A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 664 KB
english, 1991