Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 59; Issue 17
Main
Applied Physics Letters
Volume 59; Issue 17
Applied Physics Letters
Volume 59; Issue 17
1
Optical investigation of interface roughness and defect incorporation in GaAs/AlGaAs quantum wells grown with and without growth interruption
Gurioli, M.
,
Vinattieri, A.
,
Colocci, M.
,
Bosacchi, A.
,
Franchi, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 641 KB
Ваші теги:
english, 1991
2
Self-limitation in the surface segregation of Ge atoms during Si molecular beam epitaxial growth
Fukatsu, S.
,
Fujita, K.
,
Yaguchi, H.
,
Shiraki, Y.
,
Ito, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 446 KB
Ваші теги:
english, 1991
3
Phonon-defect scattering in high thermal conductivity diamond films
Morelli, Donald T.
,
Hartnett, Thomas M.
,
Robinson, Clifford J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 694 KB
Ваші теги:
english, 1991
4
Local electrical dissipation imaged by scanning force microscopy
Denk, Winfried
,
Pohl, Dieter W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 715 KB
Ваші теги:
english, 1991
5
X-ray reflectivity measurements of the expansion of carbon films upon annealing
Lucas, C. A.
,
Nguyen, T. D.
,
Kortright, J. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 629 KB
Ваші теги:
english, 1991
6
Deposition and characterization of fullerene films
Hebard, A. F.
,
Haddon, R. C.
,
Fleming, R. M.
,
Kortan, A. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 566 KB
Ваші теги:
english, 1991
7
Evidence for quantum confinement in the photoluminescence of porous Si and SiGe
Gardelis, S.
,
Rimmer, J. S.
,
Dawson, P.
,
Hamilton, B.
,
Kubiak, R. A.
,
Whall, T. E.
,
Parker, E. H. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 662 KB
Ваші теги:
english, 1991
8
Ion-irradiation control of photoluminescence from porous silicon
Barbour, J. C.
,
Dimos, D.
,
Guilinger, T. R.
,
Kelly, M. J.
,
Tsao, S. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 745 KB
Ваші теги:
english, 1991
9
Ion beam synthesis of buried α-FeSi2 and β-FeSi2 layers
Radermacher, K.
,
Mantl, S.
,
Dieker, Ch.
,
Lüth, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 668 KB
Ваші теги:
english, 1991
10
Capacitively coupled glow discharges at frequencies above 13.56 MHz
M. Surendra
,
D. B. Graves
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
Ваші теги:
english, 1991
11
Passivation of shallow impurities in Si by annealing in H2 at high temperature
Veloarisoa, I. A.
,
Stavola, Michael
,
Kozuch, D. M.
,
Peale, R. E.
,
Watkins, G. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 635 KB
Ваші теги:
english, 1991
12
Vacuum field emission from a Si-TaSi2 semiconductor-metal eutectic composite
Kirkpatrick, D. A.
,
Bergeron, G. L.
,
Czarnaski, M. A.
,
Hickman, J. J.
,
Levinson, M.
,
Nguyen, Q. V.
,
Ditchek, B. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 787 KB
Ваші теги:
english, 1991
13
Effect of collector-base valence-band discontinuity on Kirk effect in double-heterojunction bipolar transistors
Mazhari, B.
,
Morkoç, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 593 KB
Ваші теги:
english, 1991
14
Writing electronically active nanometer-scale structures with a scanning tunneling microscope
Hartmann, E.
,
Behm, R. J.
,
Krötz, G.
,
Müller, G.
,
Koch, F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 716 KB
Ваші теги:
english, 1991
15
Vertical-cavity surface-emitting laser diodes fabricated by phase-locked epitaxy
Walker, J. D.
,
Kuchta, D. M.
,
Smith, J. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 672 KB
Ваші теги:
english, 1991
16
Annealing and profile of interstitial iron in boron-doped silicon
Gao, X.
,
Mollenkopf, H.
,
Yee, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 576 KB
Ваші теги:
english, 1991
17
High-speed magnetization reversal near the compensation temperature of amorphous GdTbFe
Aeschlimann, M.
,
Vaterlaus, A.
,
Lutz, M.
,
Stampanoni, M.
,
Meier, F.
,
Siegmann, H. C.
,
Klahn, S.
,
Hansen, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 681 KB
Ваші теги:
english, 1991
18
Method for predicting microsegregation-free solidification with application to Ag-Cu alloys
Yankov, E. Y.
,
Yankova, M. I.
,
Copley, S. M.
,
Todd, J. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 505 KB
Ваші теги:
english, 1991
19
Epitaxial growth of aluminum nitride on Si(111) by reactive sputtering
Meng, W. J.
,
Heremans, J.
,
Cheng, Y. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 733 KB
Ваші теги:
english, 1991
20
Theoretical studies of the applications of resonant tunneling diodes as intersubband laser and interband excitonic modulators
Loehr, J. P.
,
Singh, J.
,
Mains, R. K.
,
Haddad, G. I.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 644 KB
Ваші теги:
english, 1991
21
Extension of the bi-epitaxial Josephson junction process to various substrates
Char, K.
,
Colclough, M. S.
,
Lee, L. P.
,
Zaharchuk, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 628 KB
Ваші теги:
english, 1991
22
Interface morphology in molecular beam epitaxy grown In0.5Ga0.5As/GaAs strained heterostructures
Wang, S. M.
,
Andersson, T. G.
,
Ekenstedt, M. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 657 KB
Ваші теги:
english, 1991
23
3.06 μm InGaAsSb/InPSb diode lasers grown by organometallic vapor-phase epitaxy
Menna, R. J.
,
Capewell, D. R.
,
Martinelli, Ramon U.
,
York, P. K.
,
Enstrom, R. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 559 KB
Ваші теги:
english, 1991
24
50 nm linewidth platinum sidewall lithography by effusive-source metal precursor chemical deposition and ion-assisted etching
Hsu, David S. Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 544 KB
Ваші теги:
english, 1991
25
Exchange effect in coupled two-dimensional electron gas systems
Ruden, P. Paul
,
Wu, Zhiqiang
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 552 KB
Ваші теги:
english, 1991
26
Low threshold, 290 fs erbium-doped fiber laser with a nonlinear amplifying loop mirror pumped by InGaAsP laser diodes
Nakazawa, Masataka
,
Yoshida, Eiji
,
Kimura, Yasuo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 576 KB
Ваші теги:
english, 1991
27
Epitaxy of LiF on Ge(100)
Lapiano-Smith, D. A.
,
Eklund, E. A.
,
Himpsel, F. J.
,
Terminello, L. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 548 KB
Ваші теги:
english, 1991
28
Correlations between stress-induced positive charges and time-dependent dielectric breakdown in ultrathin silicon oxide films
Yamada, Hiroshi
,
Makino, Takahiro
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 506 KB
Ваші теги:
english, 1991
29
Direct probing of electron movement in superlattices by subpicosecond luminescence
Deveaud, B.
,
Clérot, F.
,
Chomette, A.
,
Lambert, B.
,
Auvray, P.
,
Gauneau, M.
,
Regreny, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 596 KB
Ваші теги:
english, 1991
30
Radical-assisted organometallic vapor-phase epitaxial growth of GaAs
Li, S. H.
,
Chen, C. H.
,
Jaw, D. H.
,
Stringfellow, G. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 573 KB
Ваші теги:
english, 1991
31
High-power cw operation of InGaAs/GaAs surface-emitting lasers with 45° intracavity micro-mirrors
Ou, S. S.
,
Jansen, M.
,
Yang, J. J.
,
Mawst, L. J.
,
Roth, T. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 501 KB
Ваші теги:
english, 1991
32
Beam target interaction during growth of YBa2Cu3O7−x by the laser ablation technique
Cohen, A.
,
Allenspacher, P.
,
Brieger, M. M.
,
Jeuck, I.
,
Opower, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
Ваші теги:
english, 1991
33
Doping effect of oxygen or nitrogen impurity in hydrogenated amorphous silicon films
Morimoto, Akiharu
,
Matsumoto, Minoru
,
Yoshita, Masahiro
,
Kumeda, Minoru
,
Shimizu, Tatsuo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 569 KB
Ваші теги:
english, 1991
34
Sub-100 femtosecond pulses from an external-cavity surface-emitting InGaAs/InP multiple quantum well laser with soliton-effect compression
Xiang, W. H.
,
Friberg, S. R.
,
Watanabe, K.
,
Machida, S.
,
Sakai, Y.
,
Iwamura, H.
,
Yamamoto, Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 613 KB
Ваші теги:
english, 1991
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
