Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 59; Issue 18

Applied Physics Letters

Volume 59; Issue 18
2

Photoluminescence of InGaN films grown at high temperature by metalorganic vapor phase epitaxy

Yoshimoto, N., Matsuoka, T., Sasaki, T., Katsui, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1991
3

Optical study of microvoids, voids, and local inhomogeneities in amorphous silicon

Vanecek, M., Holoubek, J., Shah, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 603 KB
english, 1991
4

Si and GaAs dry etching utilizing showered electron-beam assisted etching through Cl2 gas

Matsui, S., Watanabe, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 758 KB
english, 1991
7

Novel contactless mode of electroreflectance

Yin, X., Pollak, Fred H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 575 KB
english, 1991
8

Spectrum of hot-electron luminescence from high electron mobility transistors

Zappe, Hans P., As, D. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 662 KB
english, 1991
9

Self-consistent model for two-dimensional accumulation layer states in resonant tunneling devices

Fiig, Thomas, Jauho, A. P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 587 KB
english, 1991
11

Y1Ba2Cu3O6+δ growth on thin Y-enhanced SiO2 buffer layers on silicon

Robin, T., Mesarwi, A., Wu, N. J., Fan, W. C., Espoir, L., Sega, R., Ignatiev, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 615 KB
english, 1991
12

Vertically stacked multiple-quantum-wire semiconductor diode lasers

Simhony, S., Kapon, E., Colas, E., Hwang, D. M., Stoffel, N. G., Worland, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 641 KB
english, 1991
14

Wave propagation and damping in an electron cyclotron resonance plasma reactor

Miyake, Shoji, Chen, Wei, Kawai, Yoshinobu
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 557 KB
english, 1991
15

Narrow linewidth, continuously tunable semiconductor lasers based on quantum well gain lever

Lau, Kam Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 651 KB
english, 1991
16

Observations of hollow cathode light emission from a transient hollow cathode discharge

Wyndham, E., Chuaqui, H., Favre, M., Choi, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 624 KB
english, 1991
17

Ultraviolet radiation induced defect creation in buried SiO2 layers

Devine, R. A. B., Leray, J-L., Margail, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 578 KB
english, 1991
19

Direct observation of the pressure developed in a liquid during cavitation-bubble collapse

Ward, B., Emmony, D. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 628 KB
english, 1991
21

Suppression of nucleation during crystallization of amorphous thin Si films

Im, James S., Shin, Jung H., Atwater, Harry A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 689 KB
english, 1991
22

Photoluminescent properties of Er-doped In1−xGaxP prepared by metalorganic vapor phase epitaxy

Neuhalfen, A. J., Wessels, B. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 514 KB
english, 1991
24

Molecular-beam-epitaxy-deposited nonalloyed Al contacts to n-type and p-type InGaAs

Shen, T. C., Fan, Z. F., Gao, G. B., Morkoç, H., Rockett, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 548 KB
english, 1991
25

Intersite Coulomb repulsion and intrasite attraction for DX centers in GaAs

Monroe, Don
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 499 KB
english, 1991
27

Nitrogen-oxygen complexes in silicon studied by photothermal ionization spectroscopy

Hu, C. M., Huang, Y. X., Ye, H. J., Shen, S. C., Qi, M. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 567 KB
english, 1991
28

New designs for antenna-coupled superconducting bolometers

Mees, J., Nahum, M., Richards, P. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 638 KB
english, 1991
29

Response to ‘‘Comment on ‘Quantum capacitance of resonant tunneling diodes’ ’’

Hu, Yuming, Stapleton, Shawn
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 329 KB
english, 1991
31

Intrinsic acceptor antisite defects in GaAs under hydrostatic pressure

Kangarlu, A., Guarriello, H., Berney, R., Yu, P. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 593 KB
english, 1991
32

New approach to grow pseudomorphic structures over the critical thickness

Lo, Y. H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 531 KB
english, 1991
34

High power, high efficiency antiguide laser arrays

Major, J. S., Mehuys, D., Welch, D. F., Scifres, D. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 541 KB
english, 1991
35

Hydrogen induced detrapping of transition metals in amorphous silicon

Coffa, S., Poate, J. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 647 KB
english, 1991
36

Method for measuring diffusion of moisture in polyimide

Chang, Li-Hsin, Tompkins, Harland
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 607 KB
english, 1991