Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 59; Issue 4
Main
Applied Physics Letters
Volume 59; Issue 4
Applied Physics Letters
Volume 59; Issue 4
1
Role of polysulfides in the passivation of the InP surface
Iyer, R.
,
Lile, D. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 653 KB
Ваші теги:
english, 1991
2
Intensity and phase noise in microcavity surface‐emitting semiconductor lasers
Agrawal, Govind P.
,
Gray, George R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 681 KB
Ваші теги:
english, 1991
3
Double dc SQUID for flux-locked-loop operation
Foglietti, V.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 673 KB
Ваші теги:
english, 1991
4
Fermi edge singularity and screening effects in the absorption and luminescence spectrum of Si δ-doped GaAs
Wagner, J.
,
Fischer, A.
,
Ploog, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 703 KB
Ваші теги:
english, 1991
5
Electron wave diffraction by semiconductor gratings: Rigorous analysis and design parameters
Henderson, Gregory N.
,
Glytsis, Elias N.
,
Gaylord, Thomas K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 602 KB
Ваші теги:
english, 1991
6
Large nonresonant third-order hyperpolarizabilities of organic charge-transfer complexes
Gong, Qihuang
,
Xia, Zongju
,
Zou, Y. H.
,
Meng, Xiansheng
,
Wei, Lin
,
Li, Fu-mian
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 457 KB
Ваші теги:
english, 1991
7
Comparative study of implantation-induced damage in GaAs and Ge: Temperature and flux dependence
Haynes, T. E.
,
Holland, O. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 699 KB
Ваші теги:
english, 1991
8
Optical and electrical properties of InP/InGaAs grown selectively on SiO2-masked InP
Wang, Y. L.
,
Feygenson, A.
,
Hamm, R. A.
,
Ritter, D.
,
Weiner, J. S.
,
Temkin, H.
,
Panish, M. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 626 KB
Ваші теги:
english, 1991
9
Effects of surface pretreatments on nucleation and growth of diamond films on a variety of substrates
Morrish, A. A.
,
Pehrsson, Pehr E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 582 KB
Ваші теги:
english, 1991
10
Experimental observation of two microwave radiation mechanisms with widely separated frequencies during the output pulse of a high-voltage virtual cathode oscillator
Haworth, M.
,
Adler, R.
,
Anderson, B.
,
Connaughton, M.
,
Dungan, W.
,
Enns, J.
,
Metz, J.
,
Pelletier, P.
,
Platt, R.
,
Polaco, J.
,
Rupp, R.
,
Thode, L.
,
Voss, D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 616 KB
Ваші теги:
english, 1991
11
GaPSb: A new ternary material for Schottky diode fabrication on InP
Loualiche, S.
,
Le Corre, A.
,
Salaun, S.
,
Caulet, J.
,
Lambert, B.
,
Gauneau, M.
,
Lecrosnier, D.
,
Deveaud, B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
Ваші теги:
english, 1991
12
High-frequency operation of heavily carbon-doped Ga0.51In0.49P/GaAs surface-emitting light-emitting diodes grown by metalorganic molecular beam epitaxy
de Lyon, T. J.
,
Woodall, J. M.
,
McInturff, D. T.
,
Kirchner, P. D.
,
Kash, J. A.
,
Bates, R. J. S.
,
Hodgson, R. T.
,
Cardone, F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 690 KB
Ваші теги:
english, 1991
13
Textured (100) yttria-stabilized zirconia thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Holzschuh, H.
,
Suhr, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 542 KB
Ваші теги:
english, 1991
14
Kinetics of silicide formation in chromium-amorphous silicon multilayered films
Schlesinger, T. E.
,
Cammarata, R. C.
,
Prokes, S. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 586 KB
Ваші теги:
english, 1991
15
High-barrier height Schottky diodes on N-InP by deposition on cooled substrates
Shi, Z. Q.
,
Wallace, R. L.
,
Anderson, W. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 688 KB
Ваші теги:
english, 1991
16
Density of states distribution in diamond thin films
Mort, J.
,
Machonkin, M. A.
,
Okumura, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 623 KB
Ваші теги:
english, 1991
17
Second-harmonic generation in ion-implanted quartz planar waveguides
Babsail, L.
,
Lifante, G.
,
Townsend, P. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 557 KB
Ваші теги:
english, 1991
18
Theoretical study of a vacuum ultraviolet F2 excimer lamp (157 nm) excited by microwave discharge
Hatakeyama, Toshiro
,
Kannari, Fumihiko
,
Obara, Minoru
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 592 KB
Ваші теги:
english, 1991
19
Photovoltaic transistors based on a steady-state internal polarization effect in asymmetric semiconductor superlattices
Liu, Chun-Ting
,
Luryi, Serge
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 538 KB
Ваші теги:
english, 1991
20
Annealing effect on the electrical properties of heavily C-doped p+GaAs
Watanabe, Kazuo
,
Yamazaki, Hajime
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 636 KB
Ваші теги:
english, 1991
21
Gold gettering induced by rapid thermal doping using spin-on sources
Hartiti, B.
,
Muller, J. C.
,
Siffert, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 596 KB
Ваші теги:
english, 1991
22
High dielectric permittivity in sol-gel derived SiO2-As2O3 glasses
Datta, A.
,
Giri, Anit K.
,
Chakravorty, D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 535 KB
Ваші теги:
english, 1991
23
Strained multiple quantum well lasers emitting at 1.3 μm grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
Coblentz, D.
,
Tanbun-Ek, T.
,
Logan, R. A.
,
Sergent, A. M.
,
Chu, S. N. G.
,
Davisson, P. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
Ваші теги:
english, 1991
24
Rapid solidification of polymorphic transition metals induced by nanosecond laser pulses
Vitta, Satish
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 564 KB
Ваші теги:
english, 1991
25
Microstructural characterization of Nb3Al ultrafine multifilamentary superconducting wire by analytical electron microscopy
Wadayama, Y.
,
Suzuki, T.
,
Aihara, K.
,
Tada, N.
,
Kamata, K.
,
Sakai, S.
,
Inoue, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 629 KB
Ваші теги:
english, 1991
26
Quantum size microcrystals grown using organometallic vapor phase epitaxy
Hiruma, K.
,
Katsuyama, T.
,
Ogawa, K.
,
Koguchi, M.
,
Kakibayashi, H.
,
Morgan, G. P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 544 KB
Ваші теги:
english, 1991
27
Surface recombination effects in soft x-ray efficiencies
Benitez, E. L.
,
Husk, D. E.
,
Tarrio, C.
,
Schnatterly, S. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 571 KB
Ваші теги:
english, 1991
28
Oxide thickness effect and surface roughening in the desorption of the oxide from GaAs
Van Buuren, T.
,
Weilmeier, M. K.
,
Athwal, I.
,
Colbow, K. M.
,
Mackenzie, J. A.
,
Tiedje, T.
,
Wong, P. C.
,
Mitchell, K. A. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
Ваші теги:
english, 1991
29
Determination of activation energies for diamond growth by an advanced hot filament chemical vapor deposition method
Kondoh, Eiichi
,
Ohta, Tomohiro
,
Mitomo, Tohru
,
Ohtsuka, Kennich
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 621 KB
Ваші теги:
english, 1991
30
Negative light-modulation effect of boron-doped hydrogenated amorphous silicon
Maeda, Yoshinobu
,
Yamamoto, Shigeichi
,
Migitaka, Masatoshi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 514 KB
Ваші теги:
english, 1991
31
Optimum implantation conditions for ion beam synthesis of buried cobalt silicide layers in Si(100)
Dekempeneer, E. H. A.
,
Ottenheim, J. J. M.
,
Vandenhoudt, D. W. E.
,
Bulle-Lieuwma, C. W. T.
,
Lathouwers, E. G. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 665 KB
Ваші теги:
english, 1991
32
Silylation of focused ion beam exposed resists
Hartney, M. A.
,
Shaver, D. C.
,
Shepard, M. I.
,
Huh, J. S.
,
Melngailis, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 599 KB
Ваші теги:
english, 1991
33
Si delta-doped field-effect transistors by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition
Pan, N.
,
Carter, J.
,
Jackson, G. S.
,
Hendriks, H.
,
Zheng, X. L.
,
Kim, M. H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 638 KB
Ваші теги:
english, 1991
34
Enhancement of deposition rates in the reactive sputtering of silicon exposed to an argon-oxygen plasma
Ohwaki, Takeshi
,
Taga, Yasunori
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 555 KB
Ваші теги:
english, 1991
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
