Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 61; Issue 1

Applied Physics Letters

Volume 61; Issue 1
1

Doping mechanisms of tin-doped indium oxide films

Shigesato, Yuzo, Hayashi, Yasuo, Haranoh, Takeshi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 677 KB
english, 1992
2

Low-temperature metalorganic chemical vapor deposition of perovskite Pb(ZrxTi1−x)O3 thin films

Peng, Chien H., Desu, Seshu B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 756 KB
english, 1992
3

Visible light emission from a porous silicon/solution diode

Bressers, P. M. M. C., Knapen, J. W. J., Meulenkamp, E. A., Kelly, J. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 555 KB
english, 1992
4

Damage accumulation during ion implantation of unstrained Si1−xGex alloy layers

Haynes, T. E., Holland, O. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 623 KB
english, 1992
5

Development of near-bamboo and bamboo microstructures in thin-film strips

Walton, D. T., Frost, H. J., Thompson, C. V.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 586 KB
english, 1992
6

In situ optical characterization of GaAs surfaces under alternating supply of GaCl and AsH3

Nishi, Kenichi, Usui, Akira, Sakaki, Hiroyuki
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 648 KB
english, 1992
9

Improved InP regrowth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by addition of CCl4

Nordell, N., Borglind, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 723 KB
english, 1992
10

Carrier-induced change in index, gain, and lifetime for (InAs)1/(GaAs)4 superlattice lasers

Dutta, N. K., Chand, N., Lopata, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 540 KB
english, 1992
11

Effect of silicon source gas on silicon-germanium chemical vapor deposition kinetics at atmospheric pressure

Kamins, T. I., Meyer, D. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 601 KB
english, 1992
13

Observation of a new ordered structure in GeSi/Si strained layer superlattice

Zhong, Peixin, Zheng, Youdou, Zhang, Rong, Hu, Liqun
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 516 KB
english, 1992
14

Physical model for defect mediated boron diffusion during rapid thermal annealing of ion implanted BF2

Kinoshita, H., Kwong, D. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 599 KB
english, 1992
16

Nonuniformities of native oxides on Si(001) surfaces formed during wet chemical cleaning

Aoyama, T., Yamazaki, T., Ito, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 672 KB
english, 1992
17

Photoluminescence of porous Si, oxidized then deoxidized chemically

Nakajima, A., Itakura, T., Watanabe, S., Nakayama, N.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 632 KB
english, 1992
18

Regrowth of a thin InP surface covering layer in the Au/InP system during annealing

Pécz, B., Radnóczi, G., Barna, P. B., Zsoldos, Éva
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 608 KB
english, 1992
19

Electro-optic phenomena in gelatin-based poled polymer

Ho, Z. Z., Chen, Ray T., Shih, Robert
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 600 KB
english, 1992
20

Synchrotron radiation-assisted silicon homoepitaxy at 100 °C using Si2H6/H2 mixture

Nara, Yasuo, Sugita, Yoshihiro, Horiuchi, Kei, Ito, Takashi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 626 KB
english, 1992
22

Photoelectric properties in microscopic p-n junctions of organic semiconductors

Saito, Kazuhiro, Sugi, Michio
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 472 KB
english, 1992
23

On the negative differential resistance effect in high-field semiconductor-dielectric systems

Gradinaru, G., Madangarli, V. P., Sudarshan, T. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 527 KB
english, 1992
24

In0.35Ga0.65P light-emitting diodes grown by gas-source molecular beam epitaxy

Masselink, W. Ted, Zachau, Martin
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 520 KB
english, 1992
25

Mn substitution effect on magnetostriction temperature dependence in Tb0.3Dy0.7Fe2

Funayama, T., Kobayashi, T., Sakai, I., Sahashi, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 410 KB
english, 1992
27

Flowing afterglow synthesis of polythiophene films

Haaland, Peter, Targove, James
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 487 KB
english, 1992
28

Bilayer interference enhanced Raman spectroscopy

Bacsa, W. S., Lannin, J. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 559 KB
english, 1992
31

Post-growth annealing of low temperature-grown Sb-doped Si molecular beam epitaxial films

Hobart, K. D., Godbey, D. J., Thompson, P. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 653 KB
english, 1992
34

Annealing effects on heavily carbon-doped GaAs

Han, W. Y., Lu, Y., Lee, H. S., Cole, M. W., Schauer, S. N., Moerkirk, R. P., Jones, K. A., Yang, L. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 653 KB
english, 1992
35

Etching of screw dislocations in YBa2Cu3O7 films with a scanning tunneling microscope

Heyvaert, I., Osquiguil, E., Van Haesendonck, C., Bruynseraede, Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 720 KB
english, 1992