Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 61; Issue 10

Main
Applied Physics Letters
Volume 61; Issue 10

Applied Physics Letters

Volume 61; Issue 10

1

Electron velocity-field characteristics of In0.52Al0.48As

Kim, H. S., Tian, H., Kim, K. W., Littlejohn, M. A.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 626 KB

english, 1992

2

Vacuum-deposited metal/polyaniline Schottky device

Misra, S. C. K., Ram, M. K., Pandey, S. S., Malhotra, B. D., Chandra, Subhas

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 612 KB

english, 1992

3

High repetition rate picosecond laser system at 1983 nm

Tomov, I. V., Anderson, T., Rentzepis, P. M.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 544 KB

english, 1992

4

Noncritical quasiphase-matched second harmonic generation in LiB3O5 crystal at room temperature

Mao, Hongwei, Fu, Fongchen, Wu, Baichang, Chen, Chuangtian

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 508 KB

english, 1992

5

Photoluminescence characterization of gated pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs modulation-doped field-effect transistors

J. M. Gilpérez, J. L. Sánchez-rojas, E. Muñoz, E. Calleja, J. P. R. David, G. Hill, J. Castagné

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 491 KB

english, 1992

6

Frequency stabilization of an internal-mirror He-Ne laser using axial-mode beat

Sasaki, A., Okada, T., Kawai, J., Aoyama, H.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 499 KB

english, 1992

7

Multiquantum well structure with an average electron mobility of 4.0×106 cm2/V s

Pfeiffer, L. N., West, K. W., Eisenstein, J. P., Baldwin, K. W., Gammel, P.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 486 KB

english, 1992

8

Orientation relationships of epitaxial oxide buffer layers on silicon (100) for high-temperature superconducting YBa2Cu3O7−x films

Matthée, Th., Wecker, J., Behner, H., Friedl, G., Eibl, O., Samwer, K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 726 KB

english, 1992

9

Planar microwave biased radio frequency SQUIDs with a cryogenic preamplifier

Mück, M., Hallmanns, G., Heiden, C., Fontana, G., Cerdonio, M., Mezzena, R., Vitale, S.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 1992

10

(001) faceting and Bi2Sr2CuO6+x(Tc=7–22 K) phase formation at the Ag/Bi-Sr-Ca-Cu-O interface in Ag-clad Bi2Sr2CaCu2O8+x(Tc=75–95 K) superconducting tapes

Feng, Y., Larbalestier, D. C., Babcock, S. E., Vander Sande, J. B.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 742 KB

english, 1992

11

Property modification of ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin films by low-energy oxygen ion bombardment during film growth

Hu, H., Krupanidhi, S. B.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 516 KB

english, 1992

12

Blue-light stimulated emission from a localized state formed by well-barrier fluctuation in a II-VI semiconductor superlattice

Kuroda, Yasuhide, Suemune, Ikuo, Fujii, Yoshihisa, Fujimoto, Masahiro

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 633 KB

english, 1992

13

Transmission electron diffraction study of C70 phase transformation at low temperature

Tomita, M., Hayashi, T., Gaskell, P., Maruno, T., Tanaka, T.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 644 KB

english, 1992

14

Selective growth of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors with a buried subcollector

Frei, M. R., Hayes, J. R., Song, J.-I., Cox, H. M., Caneau, C.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 670 KB

english, 1992

15

Picosecond large-signal switching characteristics of a pseudomorphic AlGaAs/InGaAs modulated doped field effect transistor

Jackson, M. K., Frankel, M. Y., Whitaker, J. F., Mourou, G. A., Hulin, D., Antonetti, A., Van Hove, M., De Raedt, W., Crozat, P., Hafdallah, H.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 683 KB

english, 1992

16

Time reversal and reciprocity in sound propagation through elastic and porous layers

Allard, Jean F., Brouard, Bruno, Lafarge, Denis, Lauriks, Walter

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 422 KB

english, 1992

17

Observation of dislocation stresses in InP using polarization-resolved photoluminescence

Colbourne, Paul D., Cassidy, Daniel T.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 882 KB

english, 1992

18

High-power coherently coupled 8×8 vertical cavity surface emitting laser array

Morgan, R. A., Kojima, K., Mullally, T., Guth, G. D., Focht, M. W., Leibenguth, R. E., Asom, M.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 697 KB

english, 1992

19

Lateral straggling of B and P ions implanted in channeling and random directions of Si single crystals

Raineri, Vito, Privitera, Vittorio, Rimini, Emanuele

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 495 KB

english, 1992

20

Characteristics of plasma deposited tungsten Schottky contacts to GaAs

Kim, Yong Tae, Lee, Chang Woo, Han, Chul Won, Hong, Jong Sung, Min, Suk-Ki

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 499 KB

english, 1992

21

Minority carrier lifetime and diffusion length in HgTe/CdTe superlattices by molecular beam epitaxy

Shin, S. H., Arias, J. M., Zandian, M., Pasko, J. G., Bajaj, J., DeWames, R. E.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 618 KB

english, 1992

22

Influence of iodine implantation on the properties of polypropylene

Švorč́̌ik, V., Rybka, V., Volka, K., Hnatowicz, V., Kvítek, J., Peřina, V.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 533 KB

english, 1992

23

Ge segregation and its suppression in GaAs epilayers grown on Ge(111) substrate

Kawai, T., Yonezu, H., Yoshida, H., Pak, K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 520 KB

english, 1992

24

YBa2Cu3O7−δ films on Si with Y-stabilized ZrO2 and Y2O3 buffer layers: High-resolution electron microscopy of the interfaces

Bardal, A., Zwerger, M., Eibl, O., Wecker, J., Matthée, Th.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 865 KB

english, 1992

25

Visible photoluminescence from porous silicon: A quantum confinement effect mainly due to holes?

Voos, M., Uzan, Ph., Delalande, C., Bastard, G., Halimaoui, A.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 551 KB

english, 1992

26

High-power multiple-quantum-well GaInAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2.1 μm with low threshold current density

Choi, H. K., Eglash, S. J.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 468 KB

english, 1992

27

Small-signal predictions of the well-barrier hole burning model on quantum-well laser dynamics

Vassell, M. O., Sharfin, W. F., Rideout, W., Lee, Johnson

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 582 KB

english, 1992

28

Ultraviolet defined selective in-diffusion of organic dyes in polyimide for applications in optical interconnection technology

Chakravorty, K. K.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 547 KB

english, 1992

29

Formation of zinc clusters in ionized cluster beam film deposition

Urban, Frank K., Feng, Susan W., Nainaparampil, Josekutty J.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 432 KB

english, 1992

30

Gallium desorption during growth of (Al,Ga)As by molecular beam epitaxy

Reithmaier, J.-P., Broom, R. F., Meier, H. P.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 615 KB

english, 1992