Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 62; Issue 12

Applied Physics Letters

Volume 62; Issue 12
1

Oxygen‐related centers in chemical vapor deposition of diamond

Ruan, J., Choyke, W. J., Kobashi, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 646 KB
english, 1993
2

Second‐harmonic generation of poled BaTiO3 thin films

Lu, H. A., Wills, L. A., Wessels, B. W., Lin, W. P., Zhang, T. G., Wong, G. K., Neumayer, D. A., Marks, T. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 655 KB
english, 1993
4

Concentration profiles of surface atoms during epitaxial growth on vicinal surfaces

Shitara, T., Suzuki, T., Vvedensky, D. D., Nishinaga, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 640 KB
english, 1993
5

Luminescent porous silicon synthesized by visible light irradiation

Noguchi, Nobuaki, Suemune, Ikuo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 727 KB
english, 1993
6

Quantized conductance of ballistic constrictions in InAs/AlSb quantum wells

Koester, S. J., Bolognesi, C. R., Rooks, M. J., Hu, E. L., Kroemer, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 566 KB
english, 1993
7

Femtosecond index nonlinearities in InGaAsP optical amplifiers

Hall, K. L., Darwish, A. M., Ippen, E. P., Koren, U., Raybon, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 636 KB
english, 1993
8

Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Zhang, G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 570 KB
english, 1993
9

Low-temperature decay of photocapacitance caused by Sn-related DX centers in AlxGa1−xAs

Žd’ánský, K., Peaker, A. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 623 KB
english, 1993
10

Photoluminescence excitation spectroscopy on intermixed GaAs/AlGaAs quantum wires

Prins, F. E., Lehr, G., Burkard, M., Schweizer, H., Pilkuhn, M. H., Smith, G. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 582 KB
english, 1993
11

Step equalization in epitaxial growth: A noise limited process

Williams, D. R. M., Krishnamurthy, Mohan
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 646 KB
english, 1993
13

Heteroepitaxy of β-FeSi2 on unstrained and strained Si(100) surfaces

Peale, D. R., Haight, R., Ott, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 729 KB
english, 1993
14

Refractive index gradients and light scattering in polymer-dispersed liquid crystal films

Drzaic, Paul S., Gonzales, Anne M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 610 KB
english, 1993
15

Monochromatic all-optical gate with 1 ps response time

Paye, J., Hulin, D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 592 KB
english, 1993
16

Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3

Weyers, Markus, Sato, Michio
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 510 KB
english, 1993
18

On the lack of correlation between film properties and solar cell performance of amorphous silicon-germanium alloys

Xu, X., Yang, J., Guha, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 547 KB
english, 1993
19

Photoemission from U and Mg using a pulsed XeCl laser

Ivri, J., Levin, L. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 476 KB
english, 1993
22

Grazing-incidence x-ray diffraction characterization of Co-Pt magneto-optical thin films

Huang, T. C., Savoy, R., Farrow, R. F. C., Marks, R. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 490 KB
english, 1993
24

Frequency multiplication in actively mode-locked semiconductor lasers

Onodera, N., Lowery, A. J., Zhai, L., Ahmed, Z., Tucker, R. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 508 KB
english, 1993
25

Phase locking in a multichannel radial array CO2 laser

Yelden, E. F., Seguin, H. J. J., Capjack, C. E., Reshef, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 538 KB
english, 1993
26

Single depressed-index cladding ridge waveguide laser with a low aspect ratio

Kahen, K. B., Shantharama, L. G., Shepherd, J. P., Peterson, D. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1993
27

Enhanced electro-optic properties of low-temperature-growth GaAs and AlGaAs

Nolte, D. D., Melloch, M. R., Woodall, J. M., Ralph, S. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 584 KB
english, 1993
29

Simultaneous scanning tunneling and optical near-field imaging with a micropipette

Lieberman, Klony, Lewis, Aaron
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 620 KB
english, 1993
31

Effects of band mixing on hole tunneling times in GaAs/AlAs double-barrier heterostructures

Erdoğan, M. U., Kim, K. W., Stroscio, M. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 605 KB
english, 1993
32

Comparative analysis of the intersubband versus band-to-band transitions in quantum wells

Khurgin, Jacob
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 518 KB
english, 1993
34

Atomic layer epitaxy of AlAs using trimethylamine-alane and amino-As

Fujii, Kazuyuki, Suemune, Ikuo, Yamanishi, Masamichi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 644 KB
english, 1993