Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 65; Issue 5
Main
Applied Physics Letters
Volume 65; Issue 5
Applied Physics Letters
Volume 65; Issue 5
1
Nucleation of GaAs on CaF2/Si(111) substrates
Li, Weidan
,
Anan, Takayoshi
,
Schowalter, Leo J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 712 KB
Ваші теги:
english, 1994
2
Influence of barrier height distribution on the parameters of Schottky diodes
DobrocÌka, Edmund
,
Osvald, Jozef
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 680 KB
Ваші теги:
english, 1994
3
Valence-band discontinuity between GaN and AlN measured by x-ray photoemission spectroscopy
Martin, G.
,
Strite, S.
,
Botchkarev, A.
,
Agarwal, A.
,
Rockett, A.
,
Morkoç, H.
,
Lambrecht, W. R. L.
,
Segall, B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 638 KB
Ваші теги:
english, 1994
4
Melt processing for obtaining NdBa2Cu3Oy superconductors with high Tc and large Jc
Yoo, S. I.
,
Sakai, N.
,
Takaichi, H.
,
Higuchi, T.
,
Murakami, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 680 KB
Ваші теги:
english, 1994
5
Damage and polymerization by ion bombardment of C60
Kastner, J.
,
Kuzmany, H.
,
Palmetshofer, L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 533 KB
Ваші теги:
english, 1994
6
Patterning of self-assembled alkanethiol monolayers on silver by microfocus ion and electron beam bombardment
Gillen, Greg
,
Wight, Scott
,
Bennett, Joe
,
Tarlov, Michael J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 671 KB
Ваші теги:
english, 1994
7
Electron microscopic and ion scattering studies of heteroepitaxial tin-doped indium oxide films
Kamei, Masayuki
,
Shigesato, Yuzo
,
Takaki, Satoru
,
Hayashi, Yasuo
,
Sasaki, Mikio
,
Haynes, Tony E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 794 KB
Ваші теги:
english, 1994
8
Fabrication and measurement of a Nb based superconducting single electron transistor
Harada, Y.
,
Haviland, D. B.
,
Delsing, P.
,
Chen, C. D.
,
Claeson, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 666 KB
Ваші теги:
english, 1994
9
Low temperature growth of highly doped GaAs:Si by atomic layer molecular beam epitaxy
Silveira, J. P.
,
Briones, F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 494 KB
Ваші теги:
english, 1994
10
Band-edge emission from strained SiGe alloy layers on Ge(100) substrates
Terashima, Koichi
,
Ikarashi, Taeko
,
Tweet, Douglas
,
Miyanaga, Keiko
,
Tatsumi, Toru
,
Tajima, Michio
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 655 KB
Ваші теги:
english, 1994
11
Strained InAs/InP quantum well heterostructure lasers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
Xing, Q. J.
,
Brebner, J. L.
,
Masut, R. A.
,
Ahmad, G.
,
Zhao, G.
,
Tran, C. A.
,
Isnard, L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 618 KB
Ваші теги:
english, 1994
12
Blue light generation by resonator-enhanced frequency doubling of an extended-cavity diode laser
Kozlovsky, W. J.
,
Risk, W. P.
,
Lenth, W.
,
Kim, B. G.
,
Bona, G. L.
,
Jaeckel, H.
,
Webb, D. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 610 KB
Ваші теги:
english, 1994
13
In situ monitoring of strain relaxation during antimony-mediated growth of Ge and Ge1−y Cy layers on Si(001) using reflection high energy electron diffraction
Osten, H. J.
,
Klatt, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 641 KB
Ваші теги:
english, 1994
14
Domain inversion in LiNbO3 by proton exchange and quick heat treatment
Zhu, Yong−yuan
,
Zhu, Shi−ning
,
Hong, Jing−fen
,
Ming, Nai−ben
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 662 KB
Ваші теги:
english, 1994
15
Quantitative analysis of low-energy Xe+ ion bombardment damage of Si(100) surfaces using x-ray photoelectron spectroscopy
Lu, Z. H.
,
Mitchell, D. F.
,
Graham, M. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 626 KB
Ваші теги:
english, 1994
16
Ultrafast exciton dynamics in highly oriented polydiacetylene films
Nisoli, M.
,
Pruneri, V.
,
Magni, V.
,
De Silvestri, S.
,
Dellepiane, G.
,
Comoretto, D.
,
Cuniberti, C.
,
Le Moigne, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 618 KB
Ваші теги:
english, 1994
17
Oriented diamond on graphite flakes
Suzuki, T.
,
Yagi, M.
,
Shibuki, K.
,
Hasemi, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 632 KB
Ваші теги:
english, 1994
18
Experimental and theoretical results for a two-dimensional metal photonic band-gap cavity
Smith, D. R.
,
Schultz, S.
,
Kroll, N.
,
Sigalas, M.
,
Ho, K. M.
,
Soukoulis, C. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 575 KB
Ваші теги:
english, 1994
19
High resolution atomic core level spectroscopy with laser harmonics
Haight, R.
,
Seidler, P. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 609 KB
Ваші теги:
english, 1994
20
Three-terminal bias induced dual wavelength semiconductor light emitter
Reed, F. E.
,
Zhang, D.
,
Zhang, T.
,
Kolbas, R. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 643 KB
Ваші теги:
english, 1994
21
Multiple deep levels in metalorganic vapor phase epitaxy GaAs grown by controlled oxygen incorporation
Huang, J. W.
,
Kuech, T. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 617 KB
Ваші теги:
english, 1994
22
Quantum transport in polycrystalline silicon ‘‘slit nano wire’’
Wada, Yasuo
,
Suga, Mitsuo
,
Kure, Tokuo
,
Yoshimura, Toshiyuki
,
Sudo, Yoshimi
,
Kobayashi, Takashi
,
Goto, Yasushi
,
Kondo, Seiichi
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 556 KB
Ваші теги:
english, 1994
23
High-speed characterization of p-i-n photodetectors by nonlinear photocurrent spectroscopy
Bender, G.
,
Schneider, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 530 KB
Ваші теги:
english, 1994
24
Manipulation of the Ti/Si reaction paths by introducing an amorphous Ge interlayer
Ma, Z.
,
Xiao, H. Z.
,
Allen, L. H.
,
Park, B. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 567 KB
Ваші теги:
english, 1994
25
Enhanced compositional disordering of quantum wells in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs using focused Ga+ ion beams
Piva, P. G.
,
Poole, P. J.
,
Buchanan, M.
,
Champion, G.
,
Templeton, I.
,
Aers, G. C.
,
Williams, R.
,
Wasilewski, Z. R.
,
Koteles, E. S.
,
Charbonneau, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 585 KB
Ваші теги:
english, 1994
26
Structures and electronic properties of misfit dislocations in ZnSe/GaAs(001) heterojunctions
Chen, Y.
,
Liu, X.
,
Weber, E.
,
Bourret, E. D.
,
Liliental-Weber, Z.
,
Haller, E. E.
,
Washburn, J.
,
Olego, D. J.
,
Dorman, D. R.
,
Gaines, J. M.
,
Tasker, N. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 664 KB
Ваші теги:
english, 1994
27
Silicon field-effect transistor based on quantum tunneling
Tucker, J. R.
,
Wang, Chinlee
,
Carney, P. Scott
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 584 KB
Ваші теги:
english, 1994
28
Electroluminescence from Er-doped GaP
Wang, X. Z.
,
Wessels, B. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 482 KB
Ваші теги:
english, 1994
29
Nanostructure and chemistry of a (100)MgO/(100)GaAs interface
Bruley, J.
,
Stemmer, S.
,
Ernst, F.
,
Rühle, M.
,
Hsu, W.-Y.
,
Raj, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 615 KB
Ваші теги:
english, 1994
30
Van der Waals epitaxy of three-dimensional CdS on the two-dimensional layered substrate MoTe2(0001)
Löher, T.
,
Tomm, Y.
,
Pettenkofer, C.
,
Jaegermann, W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 462 KB
Ваші теги:
english, 1994
31
Growth and characterization of GaInP unicompositional disorder-order-disorder quantum wells
Schneider, R. P.
,
Jones, E. D.
,
Follstaedt, D. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 710 KB
Ваші теги:
english, 1994
32
Blue light generation using a high power tapered amplifier mode-locked laser
Goldberg, Lew
,
Mehuys, David
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 532 KB
Ваші теги:
english, 1994
33
Multifunctional, micropipette based force cantilevers for scanned probe microscopy
Lieberman, Klony
,
Lewis, Aaron
,
Fish, Galina
,
Shalom, Shmuel
,
Jovin, Thomas M.
,
Schaper, Achim
,
Cohen, Sidney R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 752 KB
Ваші теги:
english, 1994
34
Ultrahigh speed performance of a quantum well laser at cryogenic temperatures
Yu, Rangchen
,
Nagarajan, Radhakrishnan
,
Reynolds, T.
,
Holmes, A.
,
Bowers, J. E.
,
DenBaars, S. P.
,
Zah, Chung-En
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 525 KB
Ваші теги:
english, 1994
35
Grain alignment in bulk YBa2Cu3Ox superconductor by a low temperature phase transformation method
Selvamanickam, V.
,
Goyal, A.
,
Kroeger, D. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 657 KB
Ваші теги:
english, 1994
36
Interface control in InAs/AlSb superlattices
Bennett, Brian R.
,
Shanabrook, B. V.
,
Glaser, E. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 583 KB
Ваші теги:
english, 1994
37
High temperature operation of GaInAsSb/AlGaAsSb double-heterostructure lasers emitting near 2.1 μm
Baranov, A. N.
,
Fouillant, C.
,
Grunberg, P.
,
Lazzari, J. L.
,
Gaillard, S.
,
Joullié, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 454 KB
Ваші теги:
english, 1994
38
In situ negative-type patterning of a GaAs/AlGaAs quantum well using electron beam-induced modification of an InGaAs epitaxial layer mask in Cl2 gas
Kohmoto, S.
,
Sugimoto, Y.
,
Takado, N.
,
Asakawa, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 677 KB
Ваші теги:
english, 1994
39
Deep levels in 6H-SiC wafers and step-controlled epitaxial layers
Jang, Seongjoo
,
Kimoto, Tsunenobu
,
Matsunami, Hiroyuki
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 633 KB
Ваші теги:
english, 1994
40
p-type conduction in Mg-doped GaN and Al0.08Ga0.92N grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Tanaka, T.
,
Watanabe, A.
,
Amano, H.
,
Kobayashi, Y.
,
Akasaki, I.
,
Yamazaki, S.
,
Koike, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 511 KB
Ваші теги:
english, 1994
41
Electrical deactivation of arsenic as a source of point defects
Rousseau, P. M.
,
Griffin, P. B.
,
Plummer, J. D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 642 KB
Ваші теги:
english, 1994
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
