Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 66; Issue 4

Applied Physics Letters

Volume 66; Issue 4
1

Schottky barrier contacts of titanium nitride on n‐type silicon

Dimitriadis, C. A., Logothetidis, S., Alexandrou, I.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
english, 1995
2

Voltage offsets in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films

Pike, G. E., Warren, W. L., Dimos, D., Tuttle, B. A., Ramesh, R., Lee, J., Keramidas, V. G., Evans, J. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 374 KB
english, 1995
3

Uncooled high‐speed InSb field‐effect transistors

Ashley, T., Dean, A. B., Elliott, C. T., Pryce, G. J., Johnson, A. D., Willis, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
english, 1995
4

Photoluminescence and electroluminescence of SiGe dots fabricated by island growth

Apetz, R., Vescan, L., Hartmann, A., Dieker, C., Lüth, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 310 KB
english, 1995
5

Study of photoluminescence in nanocrystalline silicon/amorphous silicon multilayers

Tong, Song, Liu, Xiang-na, Bao, Xi-mao
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 240 KB
english, 1995
6

New encapsulant source for III–V quantum well disordering

Rao, E. V. K., Hamoudi, A., Krauz, Ph., Juhel, M., Thibierge, H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 316 KB
english, 1995
7

Ultralow interface recombination velocity in ordered–disordered GaInP2 double heterostructures

van Geelen, A., Thomeer, R. A. J., Giling, L. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 338 KB
english, 1995
10

All-optical switching in rare-earth doped channel waveguide

de Araújo, Cid B., Gomes, A. S. L., Srivastava, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1995
11

Improvement of photodetection quantum efficiency by noiseless optical preamplification

Bencheikh, K., Lopez, O., Abram, I., Levenson, J. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1995
12

Spatial subharmonics of moving gratings in photorefractive materials

Shim, Sugie, Kwak, Chong Hoon, Lee, El-Hang
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 344 KB
english, 1995
13

Excitation and relaxation of Yb3+ in InPAs and InP

Godlewski, M., Kozanecki, A., Bergman, J. P., Monemar, B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 320 KB
english, 1995
15

On the local structure of optically active Er centers in Si

Przybylinska, H., Hendorfer, G., Bruckner, M., Palmetshofer, L., Jantsch, W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 324 KB
english, 1995
16

Enhanced electron emission from n-type porous Si field emitter arrays

Takai, M., Yamashita, M., Wille, H., Yura, S., Horibata, S., Ototake, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 644 KB
english, 1995
17

Raman scattering from LiF cluster-based nanophase film

Liu, Fengqi, Han, Min, Zhao, Jijun, Chen, Xiaoshuang, Wang, Qun, Wang, Guanghou
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 320 KB
english, 1995
19

Lateral force curve for atomic force/lateral force microscope calibration

Fujisawa, Satoru, Kishi, Eigo, Sugawara, Yasuhiro, Morita, Seizo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 312 KB
english, 1995
23

Constructing band diagrams of semiconductor heterojunctions

Leibovitch, M., Kronik, L., Fefer, E., Korobov, V., Shapira, Yoram
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 264 KB
english, 1995
24

Effect of spin-orbit split-off band on optical gain in AlGaInP/GaInP strained quantum wells

Domen, K., Ishikawa, H., Sugawara, M., Kondo, M., Tanahashi, T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 275 KB
english, 1995
25

Spiral growth of GaSb on (001) GaAs using molecular beam epitaxy

Brar, Berinder, Leonard, Devin
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 410 KB
english, 1995
26

Effects of Mn2+ distribution in Cu-modified ZnS on the concentration quenching of electroluminescence brightness

Yu, Il, Senna, Mamoru
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 260 KB
english, 1995
27

White light emitting SrS:Pr electroluminescent devices fabricated via atomic layer epitaxy

Kong, W., Fogarty, J., Solanki, R., Tuenge, R. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
english, 1995
28

Effect of lattice mismatch on surface morphology of (110) thin films of 214-type superconductors

Sato, H., Naito, M., Kinoshita, S., Arima, T., Tokura, Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 459 KB
english, 1995
30

Exact solutions of balance equation governing ion-beam-induced composition changes and sputtering

Sigmund, Peter
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 288 KB
english, 1995
31

600 fs 10.6 μm infrared pulse generation with radiation-damaged GaAs reflection switch

Elezzabi, A. Y., Meyer, J., Hughes, M. K. Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 1995
33

Nucleation of misfit dislocations in In0.2Ga0.8As epilayers grown on GaAs substrates

Chen, Y., Liliental-Weber, Z., Washburn, J., Klem, J. F., Tsao, J. Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
english, 1995
34

Surfactants in Si(111) homoepitaxy

Horn-von Hoegen, M., Falta, J., Copel, M., Tromp, R. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 281 KB
english, 1995
35

Three-stage lattice relaxation of Ge islands on Si(111) measured by tunneling microscopy

Theiss, Silva K., Chen, D. M., Golovchenko, J. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 384 KB
english, 1995
36

Nb/Al–AlOx–Al/Ta/Nb Josephson junctions for x-ray detection

Morohashi, Shin’ichi, Gotoh, Kohtaroh, Yokoyama, Naoki
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 474 KB
english, 1995
37

Anisotropic conductivity of silver thin films grown on silicon (100) vicinal surfaces

López-Ríos, T., Briggs, A., Guillet, S., Baro, A. M., Luna, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 326 KB
english, 1995
39

Fullerene formation during production of chemical vapor deposited diamond

Chow, Lee, Wang, Hao, Kleckley, Stephen, Daly, Terry K., Buseck, Peter R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 239 KB
english, 1995