Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 68; Issue 1
Main
Applied Physics Letters
Volume 68; Issue 1
Applied Physics Letters
Volume 68; Issue 1
1
Reduced lateral straggling of implantation induced defects in III/V heterostructures by ion implantation along channeling directions
Kieslich, A.
,
Doleschel, H.
,
Kieseling, F.
,
Reithmaier, J. P.
,
Forchel, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 326 KB
Ваші теги:
english, 1996
2
Spatial distribution of the luminescence in GaN thin films
Ponce, F. A.
,
Bour, D. P.
,
Gotz, W.
,
Wright, P. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 613 KB
Ваші теги:
english, 1996
3
Giant magnetoresistance in fine particle of La0.67Ca0.33MnO3 synthesized at low temperatures
SaÌnchez, R. D.
,
Rivas, J.
,
VaÌzquez-VaÌzquez, C.
,
LoÌpez-Quintela, A.
,
Causa, M. T.
,
Tovar, M.
,
Oseroff, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
Ваші теги:
english, 1996
4
Growth and characterization of AlInGaN quaternary alloys
McIntosh, F. G.
,
Boutros, K. S.
,
Roberts, J. C.
,
Bedair, S. M.
,
Piner, E. L.
,
El-Masry, N. A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
Ваші теги:
english, 1996
5
Microhollow cathode discharges
Schoenbach, K. H.
,
Verhappen, R.
,
Tessnow, T.
,
Peterkin, F. E.
,
Byszewski, W. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 512 KB
Ваші теги:
english, 1996
6
Magnetoelastic properties of nickel thin films
Betz, J.
,
du TreÌmolet de Lacheisserie, E.
,
Baczewski, L. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 237 KB
Ваші теги:
english, 1996
7
Oxygen precipitation in Czochralski-grown silicon wafers during hydrogen annealing
K. Izunome
,
H. Shirai
,
K. Kashima
,
J. Yoshikawa
,
A. Hojo
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.06 MB
Ваші теги:
english, 1996
8
Preparation of three-dimensionally oriented polycrystalline Si film
Di, G. Q.
,
Lin, H.
,
Uchida, N.
,
Kurata, Y.
,
Koumoto, K.
,
Hasegawa, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 416 KB
Ваші теги:
english, 1996
9
Silicon based light emitting gels
Vinod, M. P.
,
Vijayamohanan, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 303 KB
Ваші теги:
english, 1996
10
Irreversible light-enhanced degradation in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures
Carlson, D. E.
,
Rajan, K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 305 KB
Ваші теги:
english, 1996
11
Electroabsorption field imaging between coplanar metal contacts on semi-insulating semiconductor epilayers
Nolte, D. D.
,
Chen, N. P.
,
Melloch, M. R.
,
Montemagno, C.
,
Haegel, N. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 359 KB
Ваші теги:
english, 1996
12
Above band gap absorption spectra of the arsenic antisite defect in low temperature grown GaAs and AlGaAs
Dankowski, S. U.
,
Streb, D.
,
Ruff, M.
,
Kiesel, P.
,
Kneissl, M.
,
Knüpfer, B.
,
Döhler, G. H.
,
Keil, U. D.
,
So̸renson, C. B.
,
Verma, A. K.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 319 KB
Ваші теги:
english, 1996
13
Electrical transport properties of [001] tilt bicrystal grain boundaries in YBa2Cu3O7
Steel, D. G.
,
Hettinger, J. D.
,
Yuan, F.
,
Miller, D. J.
,
Gray, K. E.
,
Kang, J. H.
,
Talvacchio, J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 332 KB
Ваші теги:
english, 1996
14
Scanning tunneling microscopy of Si/SiO2 interface roughness and its dependence on growth conditions
Shekhawat, G. S.
,
Gupta, Ram P.
,
Shekhawat, S. S.
,
Runthala, D. P.
,
Vyas, P. D.
,
Srivastava, P.
,
Venkatesh, S.
,
Mamhoud, K.
,
Garg, K. B.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 511 KB
Ваші теги:
english, 1996
15
Observation of inverse reactive ion etching lag for silicon dioxide etching in inductively coupled plasmas
Doemling, M. F.
,
Rueger, N. R.
,
Oehrlein, G. S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 447 KB
Ваші теги:
english, 1996
16
Room-temperature negative differential resistance in AlAs/ErAs/AlAs heterostructures grown on (001)GaAs
Tanaka, M.
,
Tsuda, M.
,
Nishinaga, T.
,
Palmstro̸m, C. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 770 KB
Ваші теги:
english, 1996
17
Strain-compensated InAsP/GaInP multiple quantum wells for 1.3 μm waveguide modulators
Mei, X. B.
,
Loi, K. K.
,
Wieder, H. H.
,
Chang, W. S. C.
,
Tu, C. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
Ваші теги:
english, 1996
18
Laser-heated radiation dosimetry using transparent thermoluminescent glass
Justus, Brian L.
,
Huston, Alan L.
,
Johnson, Tommy L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 296 KB
Ваші теги:
english, 1996
19
Dislocation formation mechanism in strained InxGa1−xAs islands grown on GaAs(001) substrates
Chen, Y.
,
Lin, X. W.
,
Liliental-Weber, Z.
,
Washburn, J.
,
Klem, J. F.
,
Tsao, J. Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 907 KB
Ваші теги:
english, 1996
20
Electrical characterization of the β-FeSi2/Si heterojunction after thermal oxidation
Erlesand, U.
,
Östling, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 315 KB
Ваші теги:
english, 1996
21
Luminescence quenching in erbium-doped hydrogenated amorphous silicon
Shin, Jung H.
,
Serna, R.
,
van den Hoven, G. N.
,
Polman, A.
,
van Sark, W. G. J. H. M.
,
Vredenberg, A. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 325 KB
Ваші теги:
english, 1996
22
The energetics of {113} stacking fault formation in Si from supersaturated interstitials
Cuendet, Nicolas
,
Halicioglu, Timur
,
Tiller, William A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 363 KB
Ваші теги:
english, 1996
23
Hydrostatic pressure dependence of the photoluminescence of Si nanocrystals in SiO2
Cheong, Hyeonsik M.
,
Paul, W.
,
Withrow, S. P.
,
Zhu, J. G.
,
Budai, J. D.
,
White, C. W.
,
Hembree, D. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 386 KB
Ваші теги:
english, 1996
24
Micromachined ultrasonic transducers: 11.4 MHz transmission in air and more
Ladabaum, Igal
,
Khuri-Yakub, B. T.
,
Spoliansky, Dimitri
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 399 KB
Ваші теги:
english, 1996
25
The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon
Stolk, P. A.
,
Benton, J. L.
,
Eaglesham, D. J.
,
Jacobson, D. C.
,
Cheng, J.-Y.
,
Poate, J. M.
,
Myers, S. M.
,
Haynes, T. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 271 KB
Ваші теги:
english, 1996
26
Evolution of silicon surface morphology during H2 annealing in a rapid thermal chemical vapor deposition system
Wang, C. L.
,
Unnikrishnan, S.
,
Kim, B. Y.
,
Kwong, D. L.
,
Tasch, A. F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 581 KB
Ваші теги:
english, 1996
27
Stark effect in individual luminescent centers observed by tunneling luminescence
Lindahl, J.
,
Pistol, M.-E.
,
Montelius, L.
,
Samuelson, L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 240 KB
Ваші теги:
english, 1996
28
Valence-band offset at the Si/GaP (110) interface
Lazzouni, M. E.
,
Peressi, M.
,
Baldereschi, A.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 261 KB
Ваші теги:
english, 1996
29
PtIn2 ohmic contacts to n-GaAs via an In-Ga exchange mechanism
Chen, D. Y.
,
Chang, Y. A.
,
Swenson, D.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 254 KB
Ваші теги:
english, 1996
30
Evolution of the surface cross-hatch pattern in InxGa1−xAs/GaAs layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
Yoon, Meeyoung
,
Lee, Bun
,
Baek, Jong-Hyeob
,
Park, Hyo-Hoon
,
Lee, El-Hang
,
Lee, Jeong Yong
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 505 KB
Ваші теги:
english, 1996
31
Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures
Shen, W. Z.
,
Shen, S. C.
,
Chang, Y.
,
Tang, W. G.
,
Lu, Y.
,
Li, A. Z.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 269 KB
Ваші теги:
english, 1996
32
Low temperature selective silicon epitaxy by ultra high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition using Si2H6, H2 and Cl2
Violette, Katherine E.
,
O’Neil, Patricia A.
,
Öztürk, Mehmet C.
,
Christensen, Kim
,
Maher, Dennis M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 303 KB
Ваші теги:
english, 1996
33
White-beam synchrotron topographic characterization of flux-grown KTiOAsO4
Liu, W. J.
,
Jiang, S. S.
,
Huang, X. R.
,
Hu, X. B.
,
Ge, C. Z.
,
Wang, J. Y.
,
Jiang, J. H.
,
Wang, Z. G.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 470 KB
Ваші теги:
english, 1996
34
Highly coercive Sm2Fe15Ga2C2 magnets made by intense ball milling
Cao, L.
,
Handstein, A.
,
Grünberger, W.
,
Edelman, J.
,
Schultz, L.
,
Müller, K.-H.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 325 KB
Ваші теги:
english, 1996
35
Investigation of the nucleation mechanism in bias-enhanced diamond deposition
Reinke, P.
,
Kania, P.
,
Oelhafen, P.
,
Guggenheim, R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
Ваші теги:
english, 1996
36
Ion channeling studies of regrowth kinetics in crystalline metal oxides used with high temperature superconductors
Senapati, L.
,
Sharma, R. P.
,
Venkatesan, T.
,
Zhang, Zuhua
,
Chu, Wei-Kan
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 251 KB
Ваші теги:
english, 1996
37
Investigations of vertical cavity surface emitting laser by photoreflectance spectroscopy
Berger, P. D.
,
Bru, C.
,
Benyattou, T.
,
Guillot, G.
,
Chenevas-Paule, A.
,
Couturier, L.
,
Grosse, P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 255 KB
Ваші теги:
english, 1996
38
High resolution Fowler-Nordheim field emission maps of thin silicon oxide layers
Ruskell, Todd G.
,
Workman, Richard K.
,
Chen, Dong
,
Sarid, Dror
,
Dahl, Sarah
,
Gilbert, Stephen
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 390 KB
Ваші теги:
english, 1996
39
Direct comparison of GaAs surface morphology between migration enhanced epitaxy and molecular beam epitaxy using in situ scanning electron microscopy
Homma, Yoshikazu
,
Yamaguchi, Hiroshi
,
Horikoshi, Yoshiji
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 760 KB
Ваші теги:
english, 1996
40
Long-wavelength InAsSb photoconductors operated at near room temperatures (200–300 K)
Kim, J. D.
,
Wu, D.
,
Wojkowski, J.
,
Piotrowski, J.
,
Xu, J.
,
Razeghi, M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 324 KB
Ваші теги:
english, 1996
41
Electron capture in GaAs quantum wells via electron-electron and optic phonon scattering
Kálna, K.
,
Moško, M.
,
Peeters, F. M.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 379 KB
Ваші теги:
english, 1996
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×