Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 205; Issue 1

physica status solidi (a)

Volume 205; Issue 1
4

Single impurity Anderson model and band anti-crossing in the Ga1–xInx Ny As1–y material system

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
english, 2008
5

NiO-induced crystallization and optical characteristics of Li2O–CaF2–P2O5 glass system

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 641 KB
english, 2008
6

Studies on semiconductor dispersed polymer electrolyte composite (PEO:NH4ClO4 + Bi2S3)

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 2008
7

Research on inorganic electroluminescence – present status

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
english, 2008
10

Photosensitized luminescent lanthanide (III) clusters encapsulated with polyphenylsilsesquioxane

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
english, 2008
11

Effects of Yb impurity on Er-related emission in Al0.70Ga0.30As:Er,Yb epitaxially grown on GaAs substrate

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2008
12

Photoluminescence spectra of Eu-doped GaN

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
english, 2008
13

Manganese behaviour in ZnO layers deposited by magnetron sputtering for spintronic application

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 172 KB
english, 2008
15

Visible and infrared electroluminescence from an Er-doped n-ZnO/p-Si light emitting diode

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 193 KB
english, 2008
16

Site-specific excitation of Eu ions in GaN

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 185 KB
english, 2008
17

Gallium nitride and GaN:Eu nanocrystalline luminescent powders

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 360 KB
english, 2008
18

Preparation and photoluminescence of Eu-doped GaN films by radio frequency magnetron sputtering method

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 241 KB
english, 2008
20

Rare earth doping of III-nitride alloys by ion implantation

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 167 KB
english, 2008
21

Effect of process conditions on gain and loss in GaN:Eu cavities on different substrates

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
english, 2008
22

Demonstration of ErSiO superlattice crystal waveguide toward optical amplifiers and emitters

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 170 KB
english, 2008
23

Energy transfer from Si nanocrystals to Er ions near a metal layer

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
english, 2008
24

Site-selective spectroscopy of erbium in wide band gap semiconductors

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 183 KB
english, 2008
25

Defects in organic electronic devices

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
english, 2008
27

Towards p-type ZnO using post-growth annealing

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 276 KB
english, 2008
30

Investigation of ZnO as a perspective material for photonics

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 316 KB
english, 2008
32

Temperature dependent site change of In in AlN and GaN

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 162 KB
english, 2008
33

Optical and electronic properties of GaInNP alloys – a new material system for lattice matching to GaAs

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 252 KB
english, 2008
36

Annealing experiments of the GaP based dilute nitride Ga(NAsP)

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 346 KB
english, 2008
38

Editorial: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 228 KB
english, 2008
39

Contents: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 143 KB
english, 2008
40

Recent and forthcoming publications in pss: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 82 KB
english, 2008
41

Preface: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 55 KB
english, 2008
42

Information for authors: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 90 KB
english, 2008
43

Cover Picture: phys. stat. sol. (a) 205/1

Рік:
2008
Файл:
PDF, 355 KB
2008