Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 245; Issue 7

physica status solidi (b)

Volume 245; Issue 7
2

Bulk and epitaxial growth of micropipe-free silicon carbide on basal and rhombohedral plane seeds

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.22 MB
english, 2008
3

Electrical and topographical characterization of aluminum implanted layers in 4H silicon carbide

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.50 MB
english, 2008
5

Contents: phys. stat. sol. (b) 245/7

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.01 MB
english, 2008
6

Recent and forthcoming publications in pss: phys. stat. sol. (b) 245/7

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 191 KB
english, 2008
7

Preface: phys. stat. sol. (b) 245/7

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 50 KB
english, 2008
8

Information for authors: phys. stat. sol. (b) 245/7

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 90 KB
english, 2008
10

Comparative columnar porous etching studies on n-type 6H SiC crystalline faces

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 577 KB
english, 2008
11

Density functional study of graphene overlayers on SiC

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.08 MB
english, 2008
13

Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 964 KB
english, 2008
15

Optical properties of as-grown and process-induced stacking faults in 4H-SiC

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.78 MB
english, 2008
17

Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.17 MB
english, 2008
20

Micro- and nanomechanical structures for silicon carbide MEMS and NEMS

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 778 KB
english, 2008
21

Epitaxial graphene: a new material

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.47 MB
english, 2008
22

EPR identification of intrinsic defects in SiC

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.27 MB
english, 2008
23

Cover Picture: phys. stat. sol. (b) 245/7

Рік:
2008
Файл:
PDF, 368 KB
2008