Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 16; Issue 7

Semiconductor Science and Technology

Volume 16; Issue 7
1

Charge deep-level transient spectroscopy of Al/intrinsic diamond/p + -Si Schottky diodes

Thurzo, I, Zahn, D R T, Dua, A K
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 225 KB
english, 2001
2

Gettering simulator: physical basis and algorithm

Hieslmair, H, Balasubramanian, S, Istratov, A A, Weber, E R
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 123 KB
english, 2001
4

SiGe HBT for application in BiCMOS technology: II. Design, technology and performance

Jain, S C, Decoutere, S, Willander, M, Maes, H E
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 470 KB
english, 2001
5

Depth profiling of strain using micro-Raman measurements

Atkinson, A, Jain, S C, Maes, H E, Pinardi, K, Willander, M
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 93 KB
english, 2001
8

Current instability in power HEMTs

Dunn, G M, Phillips, A, Topham, P J
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 146 KB
english, 2001
11

The design of resonant-cavity-enhanced photodetectors for a high bandwidth-efficiency product

Bourdoucen, Hadj, Jervase, Joseph A
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 112 KB
english, 2001
12

4H-SiC junction-barrier Schottky diodes with high forward current densities

Tone, Kiyoshi, Zhao, Jian H, Weiner, Maurice, Pan, Menghan
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 99 KB
english, 2001
13

A novel diagonal-current injection VCSEL design proposed for nitride lasers

Mackowiak, P, Sarzala, R P, Nakwaski, W
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 107 KB
english, 2001