Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 4; Issue 6

Semiconductor Science and Technology

Volume 4; Issue 6
1

Characterisation of deep electron states in LEC grown GaAs material

Hashizume, T, Nagabuchi, H
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 784 KB
english, 1989
2

Far-infrared spectroscopic identification of D - states in GaAs, InP and InSb

Najda, S P, Armistead, C J, Trager, C, Stradling, R A
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.50 MB
english, 1989
5

Abeles-Takagi approach for dynamic X-ray rocking curve analysis of superlattice structures

Shrivastava, M C, Swaminathan, S
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
english, 1989
7

Photoluminescence bands of deep centres in neutron-transmutation-doped GaAs

Manasreh, M O, Mudare, S M
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 403 KB
english, 1989
8

Hydrogen chemisorption on Si (100) surface

Ong, C K
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
english, 1989
10

Structuring of polyimide by ArF excimer laser ablation

Spiess, W, Strack, H
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 625 KB
english, 1989
11

Spin splitting of the electron subbands in the electrostatic interface potential on HgCdTe

Wollrab, R, Sizmann, R, Koch, F, Ziegler, J, Maier, H
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
english, 1989
12

Calculation of quantum efficiency of field-assisted transmission-mode GaAs photocathodes

Guo, Lihui, Li, Jinmin, Xun, Hou
Журнал:
Semiconductor Science and Technology
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
english, 1989